[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202010546240.7
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN112825260A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 李宗勛;樸世泉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/34
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

存儲器裝置及其操作方法。根據操作方法的存儲器裝置可包括：多個頁，其聯接到公共字線并且被配置為由不同的選擇線依次選擇；編程操作控制器，其被配置為對所述多個頁當中的要首先編程的第一頁執行編程操作；以及起始循環管理器，其被配置為生成關于在對第一頁的編程操作期間與包括在第一頁中的存儲器單元的閾值電壓所形成的多個編程狀態中的每一個對應的編程驗證開始的編程循環的起始循環信息。編程操作控制器還被配置為基于起始循環信息對所述多個頁當中的要在第一頁之后編程的第二頁執行編程操作。

技術領域

本公開的各種實施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種存儲器裝置以及操作該存儲器裝置的方法。

背景技術

存儲裝置是在主機裝置(例如，計算機或智能電話)的控制下存儲數據的裝置。存儲裝置可包括存儲數據的存儲器裝置以及控制存儲器裝置的存儲控制器。存儲器裝置被分類為易失性存儲器裝置或非易失性存儲器裝置。

易失性存儲器裝置是只有當供電時才存儲數據，當供電中斷時丟失所存儲的數據的存儲器裝置。易失性存儲器裝置的示例可包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。

非易失性存儲器裝置是即使當供電中斷時也保持所存儲的數據的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的示例可包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)和閃存。

發明內容

根據本公開的實施方式，一種存儲器裝置可包括多個頁，所述多個頁聯接到公共字線并且被配置為由不同的選擇線依次選擇。該存儲器裝置還可包括編程操作控制器，該編程操作控制器被配置為對所述多個頁當中的要首先編程的第一頁執行編程操作。該存儲器裝置還可包括起始循環管理器，該起始循環管理器被配置為生成關于在對第一頁的編程操作期間與包括在第一頁中的存儲器單元的閾值電壓形成的多個編程狀態中的每一個對應的編程驗證開始的編程循環的起始循環信息。編程操作控制器可被配置為基于起始循環信息對所述多個頁當中的要在第一頁之后編程的第二頁執行編程操作。

根據本公開的實施方式，一種存儲器裝置可包括聯接到公共位線的第一單元串和第二單元串。該存儲器裝置還可包括編程操作控制器，該編程操作控制器被配置為對包括在第一單元串中的存儲器單元當中的聯接到公共字線的第一存儲器單元和包括在第二單元串中的存儲器單元當中的聯接到公共字線的第二存儲器單元依次編程。該存儲器裝置還可包括起始循環管理器，該起始循環管理器被配置為生成關于在對第一存儲器單元的編程操作期間與第一存儲器單元的閾值電壓能夠形成的多個編程狀態中的每一個對應的編程驗證開始的編程循環的起始循環信息。基于起始循環信息來執行對第二存儲器單元的編程操作。

根據本公開的實施方式，提出了一種操作存儲器裝置的方法，其中，該存儲器裝置包括聯接到公共字線并被配置為由不同的選擇線依次選擇的多個頁，所述多個頁各自具有多個存儲器單元，該方法可包括在對所述多個頁當中的要首先編程的第一頁的編程操作期間，基于對多個編程狀態中的每一個的編程驗證通過的編程循環來生成關于后續要編程的頁的編程驗證開始的編程循環的起始循環信息。該方法還可包括基于起始循環信息來對所述多個頁當中的要在第一頁之后編程的第二頁進行編程。

附圖說明

圖1是示出存儲器裝置的圖。

圖2是示出根據實施方式的存儲器裝置100的圖。

圖3是示出圖1的存儲器單元陣列的實施方式的圖。

圖4是示出圖3的存儲塊BLK1至BLKz中的存儲塊BLKa的電路圖。

圖5是示出圖3的存儲塊BLK1至BLKz中的存儲塊BLKb的示例的電路圖。

圖6是用于說明存儲器單元的編程狀態的圖。

圖7是示出編程操作的圖。

圖8是用于說明在編程操作期間施加到所選字線的電壓的圖。