[發(fā)明專利]一種涂層及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010546015.3
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111778485B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾德長;易斌;邱兆國;吳姚莎
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東正德材料表面科技有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/14
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 李旭亮

1.一種涂層的制備方法，其特征在于：所述涂層包括沉積于基體表面的Cr層及沉積于Cr層上的TiMoCN層；

所述涂層的制備方法，包括以下步驟：

（1）對基體表面進行前處理；

（2）開啟多弧離子鍍鍍膜機，對基體表面進行離子清洗；

（3）采用電弧鍍在基體表面進行離子轟擊活化；

（4）采用電弧鍍在基體表面沉積Cr層，具體操作為：調(diào)整多弧離子鍍鍍膜機的偏壓為100-200V，在基體表面沉積Cr層，沉積時間為5-10分鐘；

（5）采用電弧鍍在Cr層上沉積TiMoCN層，具體操作為：關(guān)閉Cr靶，停止通氬氣，抽真空，緩慢通入氮氣和乙炔，控制乙炔氣體流量在10-20sccm,使得多弧離子鍍鍍膜機的真空室內(nèi)壓強保持在0.2-0.4Pa，開啟TiMo靶，TiMo靶的弧電流為80-120A，沉積時間40-60分鐘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：所述基體為金屬或陶瓷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：步驟（1）中前處理的具體操作為：對基體進行打磨、拋光、超聲清洗和烘干。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：步驟（2）中離子清洗的具體操作為：將進行過前處理的基體置于多弧離子鍍鍍膜機的真空室中，抽真空，再充入氬氣至真空室內(nèi)壓強為2.0-4.0Pa，開啟偏壓電源，脈沖負偏壓為650-750V，占空比為40%-60%，進行氬離子輝光清洗8-15分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：步驟（3）中離子轟擊活化的具體操作為：調(diào)整氬氣流量，至多弧離子鍍鍍膜機的真空室中真空度達到0.2-0.5Pa，開啟Cr靶，弧電流為65-100A，對基體進行離子轟擊，轟擊時間為5-10分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：所述Cr靶的純度不小于99.96%；所述TiMo靶的純度不小于99.96%。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層的制備方法，其特征在于：所述TiMo靶中Mo的質(zhì)量分數(shù)為8-10%。