[發明專利]一種晶格匹配的異質結復合薄膜、制備方法及鈣鈦礦太陽能電池有效
| 申請號: | 202010545805.X | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111653672B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 曾瑋;伊海波;薛瑞;黃林生;阮莉敏;王思亮;徐超;梁棟 | 申請(專利權)人: | 安徽大學 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 合肥國和專利代理事務所(普通合伙) 34131 | 代理人: | 孫永剛 |
| 地址: | 230601 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶格 匹配 異質結 復合 薄膜 制備 方法 鈣鈦礦 太陽能電池 | ||
1.一種晶格匹配的異質結復合薄膜,該復合薄膜含有納米尺度的Bi烯-SnO2異質結,所述Bi烯-SnO2異質結中,Sn、O、Bi元素的原子個數百分比分別為23-25%、73-75%和 1-2%;所述Bi烯為二維原子級片層,SnO2為三維納米顆粒,Bi烯和SnO2之間形成晶格匹配的原子級二維六方平行匹配界面。
2.一種權利要求1所述復合薄膜的制備方法,包括Bi烯的制備、Bi烯-SnO2混合前驅溶液的制備以及將Bi烯-SnO2混合前驅溶液涂覆在基底上進行退火。
3.如權利要求2所述的復合薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)Bi烯的制備:以Bi粉、(NH4)2S2O8、H2SO4、H2O2為原料在室溫下反應18-20 h,再經離心水洗、超聲后,在55-65℃真空中干燥11-13h,獲得Bi稀;
2)Bi烯-SnO2混合前驅溶液的制備:配置Bi烯分散溶液,使得Bi的含量為0.08-0.13wt%;配置2-3 wt%的SnO2膠體水溶液,向其中加入2.65-2.75 wt%的Bi烯分散溶液,在室溫下超聲處理20-40 min;
3)退火:將Bi烯-SnO2混合前驅溶液涂覆在基底上,以3500-4500 rpm的轉速旋轉20-40s,最后在130-170℃下熱臺上退火20-40 min。
4.權利要求1所述的復合薄膜或者由權利要求2-3任一項所述的制備方法得到的復合薄膜作為電子傳輸介質的應用。
5.如權利要求4所述應用,其特征在于,所述復合薄膜在鈣鈦礦太陽能電池的電子傳輸層的應用。
6.一種鈣鈦礦太陽能電池,包含基底、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層、金屬電極,其特征在于,所述電子傳輸層基于權利要求1所述的復合薄膜或者由權利要求2-3任一項所述的制備方法得到的復合薄膜。
7.權利要求6所述的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)清洗基底:取FTO玻璃作為基底,洗滌并烘干,接著用UV-臭氧處理;
2)制備電子傳輸層:在基底上制備電子傳輸層,厚度為50-60 nm;
3)制備鈣鈦礦活性層:在電子傳輸層上制備鈣鈦礦活性層,厚度為565-575 nm;
4)制備空穴傳輸層:在鈣鈦礦活性層上制備空穴傳輸層,厚度為180-200 nm;
5) 制備金屬電極:在空穴傳輸層上制備金屬電極,厚度為90-110 nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





