[發明專利]一種磁存儲器件的制備方法及磁存儲器件

有效

• 申請號: 202010545330.4
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111668364B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 熊保玉;金國棟
• 申請（專利權）人: 浙江馳拓科技有限公司
• 主分類號: H10N50/80
• 分類號: H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種磁存儲器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上具有底電極；

在所述底電極上設置輔助層；

在所述輔助層上設置磁性隧道結，其包括：

在所述輔助層以及所述底電極上沉積形成所述磁性隧道結的多層磁性材料層，使所述多層磁性材料層一部分覆蓋在所述輔助層的上方，一部分覆蓋在所述輔助層的側壁上，還有一部分覆蓋在所述底電極上；

刻蝕掉所述多層磁性材料層中覆蓋在所述輔助層的側壁上以及所述底電極上的部分，以形成所述磁性隧道結。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述底電極上設置輔助層具體為：

在所述底電極上沉積輔助材料層；

在所述輔助材料層上刻蝕出所述輔助層。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述輔助材料層上刻蝕出所述輔助層之前，對所述輔助材料層進行CMP。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述輔助材料層上刻蝕出所述輔助層具體為：

在所述輔助材料層上沉積掩膜層；

在所述掩膜層上刻蝕出所述輔助層的圖案；

采用刻蝕方式刻蝕所述輔助材料層，以得到所述輔助層；

去除所述掩膜層。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜層為硬質掩膜層、氧化物掩膜層中的一層或由兩層組成的復合層。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述采用刻蝕方式刻蝕所述輔助材料層，以得到所述輔助層具體為：

采用RIE刻蝕、IBE刻蝕中的一種或兩種刻蝕方法刻蝕所述輔助材料層，以得到所述輔助層。

7.一種磁存儲器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上具有底電極；

沉積在所述底電極上的輔助層；

沉積在所述輔助層上的磁性隧道結，其中，所述磁性隧道結通過如下方式形成：

在所述輔助層以及所述底電極上沉積形成所述磁性隧道結的多層磁性材料層，使所述多層磁性材料層一部分覆蓋在所述輔助層的上方，一部分覆蓋在所述輔助層的側壁上，還有一部分覆蓋在所述底電極上；

刻蝕掉所述多層磁性材料層中覆蓋在所述輔助層的側壁上以及所述底電極上的部分，以形成所述磁性隧道結。

8.如權利要求7所述的磁存儲器件，其特征在于，所述輔助層的材料為TaN、TiN、Ta、Ti、W、WN中的一種或幾種組合。

9.如權利要求7所述的磁存儲器件，其特征在于，所述輔助層的厚度為5～200nm。

10.如權利要求7所述的磁存儲器件，其特征在于，所述輔助層的尺寸大于所述磁性隧道結的尺寸。

11.如權利要求10所述的磁存儲器件，其特征在于，所述輔助層及所述磁性隧道結水平方向的截面形狀均為正方形；且所述輔助層水平方向的截面的邊長比所述磁性隧道結的水平方向的截面邊長大10nm～200nm。

12.如權利要求7所述的磁存儲器件，其特征在于，所述磁性隧道結為平面磁性隧道結或垂直磁性隧道結。