[發(fā)明專利]DRAM氧化物電極、DRAM及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010545328.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111883517A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐光偉;熊文豪;龍世兵;趙曉龍;白衛(wèi)平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L27/108
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉歌

1.一種DRAM氧化物電極，其特征在于，該氧化物電極采用的材料包括RuO_x、IrO_x、PdO_x、PtO_x、AgO_x、AuO_x、Ga₂O₃中的任一種或多種組合。

2.一種DRAM，內(nèi)含有如權(quán)利要求1所述的DRAM氧化物電極。

3.如權(quán)利要求1所述的DRAM氧化物電極或者如權(quán)利要求2所述的DRAM在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的應(yīng)用。