[發(fā)明專利]氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片、遠(yuǎn)程紫外陣列監(jiān)測(cè)器及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010544736.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112038427B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王順利;郭道友
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州紫芯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0336
• 分類號(hào): H01L31/0336;H01L31/109;H01L31/18;G01J1/44
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石單晶襯底、Sn:β-Ga₂O₃圓形薄膜和復(fù)合薄膜；其中所述復(fù)合薄膜包括位于同一平面上且排成圓形的La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜；還包括一一對(duì)應(yīng)的上部Ti/Au薄膜電極和下部Ti/Au薄膜電極，所述上部Ti/Au薄膜電極形成在所述復(fù)合薄膜上，并分別與La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜一一對(duì)應(yīng)，所述下部Ti/Au薄膜電極位于Sn:β-Ga₂O₃圓形薄膜上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：所述Sn:β-Ga₂O₃圓形薄膜的厚度為300-500nm，Sn的摻雜濃度為3-5at％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：所述La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜的厚度均為200-300nm，Zn的摻雜濃度為3-5at％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：所述Sn:β-Ga₂O₃圓形薄膜與藍(lán)寶石單晶襯底的面積相同，所述復(fù)合薄膜的面積為Sn:β-Ga₂O₃圓形薄膜面積的4/9。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：所述La₂O₃薄膜、ZnO薄膜、NiO薄膜、Tb₂O₃薄膜、Ta₂O₅薄膜、Sm₂O₃薄膜、Nd₂O₃薄膜和Zn:β-Ga₂O₃薄膜為扇形結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片，其特征在于：所述上部Ti/Au薄膜電極為三角環(huán)形薄膜電極，形狀為底邊2mm，高4mm的環(huán)形等腰三角形；所述下部Ti/Au薄膜電極為圓形，形狀為半徑1mm的圓形；Ti/Au薄膜電極中的Ti薄膜電極厚度為30-40nm，Au薄膜電極在Ti薄膜電極的上方，厚度為90-120nm。

7.一種波長(zhǎng)連續(xù)可調(diào)的UV-C/B/A遠(yuǎn)程紫外陣列監(jiān)測(cè)器，其包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的一種氧化鎵基異質(zhì)結(jié)集成光電芯片；還包括紫外光電探測(cè)外圍電路、信號(hào)處理模塊、IOT通信模塊、AMR核心控制模塊以及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片。