[發(fā)明專利]一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010544560.9 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111710586A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊燕婷;郭星 | 申請(專利權(quán))人: | 成都西奇儀器有限公司 |
| 主分類號: | H01J49/06 | 分類號: | H01J49/06;H01J49/10;H01J49/42 |
| 代理公司: | 成都其高專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 梁周霆 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 循環(huán) 離子 遷移 結(jié)構(gòu) 高分辨率 | ||
1.一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:包括兩片基板(1),在兩片基板(1)之間呈鏡像對稱設(shè)置有主徑向約束電極組(2)、輔徑向約束電極組(3)、軸向推動電極組(4)、循環(huán)開啟電極組(5)及循環(huán)關(guān)閉電極組(6),基板(1)與基板(1)之間通過絕緣柱控制板間距;所述輔徑向約束電極組(3)相對于基板(1)平面垂直安裝并與所述主徑向約束電極組(2)共同形成離子徑向約束阱勢;所述循環(huán)開啟電極組(5)和循環(huán)結(jié)束電極組(6),平行或垂直設(shè)置于基板(1)平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述兩片基板(1)為尺寸相同的絕緣材質(zhì)且平行安裝,在兩片基板(1)間互為鏡像對稱的電極上施加的電壓波形相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述主徑向約束電極組(2)用于施加周期性的振蕩電壓,且同一基板(1)平面上主徑向約束電極組(2)內(nèi)相鄰的主徑向約束電極施加電壓振蕩相位差為180°。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述主徑向約束電極組(2)所施加周期性的振蕩電壓為正弦電壓或方波電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述輔徑向約束電極組(3)用于施加輔助主徑向約束電極組(2)在離子軸向漂移過程中的徑向約束并減少循環(huán)過程中的離子傳輸損失的直流偏置電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述輔徑向約束電極組(3)施加的偏置電壓為相對于主徑向約束電極組(2)電壓的直流偏置電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或6所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述軸向推動電極組(4)用于施加電壓幅值維持恒定,以便推動離子軸向遷移的連續(xù)周期性瞬態(tài)電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述軸向推動電極組(4)施加都連續(xù)周期性瞬態(tài)電壓為方波電壓或為正弦波電壓或為三角波電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4或6或8所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所述循環(huán)開啟電極組(5)和循環(huán)結(jié)束電極組(6)上施加的電壓為周期性脈沖電壓,且與離子遷移譜儀的離子門脈沖保持時間同步。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種循環(huán)式離子遷移區(qū)結(jié)構(gòu)及高分辨率離子遷移譜儀,其特征在于:所訴循環(huán)開啟電極組(5)與循環(huán)結(jié)束電極組(6)所施加的周期性脈沖電壓時序連續(xù)。
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