[發明專利]一種SiO2

在審

• 申請號: 202010544471.4
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111864161A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 鄧斌;黃樂飛;張安;姜蔚陽;朱麗娟
• 申請（專利權）人: 泰州衡川新能源材料科技有限公司
• 主分類號: H01M2/14
• 分類號: H01M2/14;H01M2/16;H01M10/0525
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 俞璇

1.一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于,包括以下步驟：

1)預處理；

2)表面處理；

3)預熱；

4)堿水處理；

5)水洗；

6)烘干；

7)熱定型；

8)收卷。

2.根據權利要求1所述的一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1)預處理：制備獲得聚烯烴基膜；

2)表面處理：對上一步驟得到的聚烯烴基膜進行表面處理；

3)預熱：取處理后的聚烯烴基膜于展平輥上展平，并被牽引至預熱單元，在1-3級加熱輥上進行加熱，加熱輥加熱溫度為60-100℃，得到基膜A；

4)堿水處理：將預熱后的基膜A牽引至富硅堿水池，在5級牽引輥的帶動下，浸泡于富硅堿水池中，輥面溫度為20-80℃，基膜A膜面在池中停留的時間為0.3-2h，堿水處理后切水吹干，得到基膜B；

5)水洗：將上述步驟處理得到的基膜B牽引，使其進入水洗池進行水洗，輥面溫度為20-80℃，水溫30-60℃，基膜B膜面在水洗池中停留的時間為0.5-1.5h，得到基膜C；

6)烘干：將上述步驟處理得到的基膜C牽引至烘箱中進行烘干，烘干溫度為45-85℃，時間為6-12h，得到基膜D；

7)熱定型：將上述步驟處理得到的基膜D牽引至熱定型單元，在1-3級加熱輥進行二次加熱并展平、定型，加熱輥加熱溫度為40-80℃，得到基膜E；

8)收卷：將上述步驟處理得到的基膜E牽引至收卷單元進行收卷，得到成品。

3.根據權利要求2所述的一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于：所述富硅堿水池中包括堿水和正硅酸乙酯，所述堿水包括以下組分：工業氨水、純水和乙醇，所述工業氨水、純水和乙醇的質量比為2-5：1：0.3-0.8。

4.根據權利要求2所述的一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于：所述步驟2)中的聚烯烴基膜包括以下重量組分：94-100份樹脂、0.1-2份增塑劑、0.2-1份流動改性劑和0.001-0.004份偶聯劑。

5.根據權利要求4所述的一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于：所述樹脂包括以下重量組分:40-50份聚乙烯樹脂、30-38份聚丙烯樹脂、1-5份聚酰亞胺樹脂和1-2份聚芳酰胺樹脂。

6.根據權利要求5所述的一種SiO₂摻雜的隔膜加工工藝，其特征在于：所述聚乙烯樹脂包括30-40份超高分子量聚乙烯、1-5份線性低密度聚乙烯、10-15份高密度聚乙烯，所述聚丙烯樹脂由85-99份丙烯單體和1-15份乙烯共聚制得。