[發明專利]電容式隔離芯片

有效

• 申請號: 202010543785.2
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN113823615B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 徐海君;盛云
• 申請（專利權）人: 蘇州納芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

1.一種電容式隔離芯片，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底上側且相對設置的下極板與上極板、以及至少兩層位于所述上極板與所述下極板之間的層間介質層；相鄰兩所述層間介質層之間還設置有金屬布線層，且相鄰兩所述層間介質層中的上層層間介質層內形成有若干與其下側相應所述金屬布線層連接且填充有金屬物的第一接觸孔；所述金屬布線層包括金屬主體膜及設置于所述金屬主體膜上表面的第一金屬阻擋膜，所述電容式隔離芯片還具有設置于所述第一金屬阻擋膜上表面的介質緩沖層。

2.根據權利要求1所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述金屬布線層還包括設置于所述金屬主體膜下表面的第二金屬阻擋膜，所述第二金屬阻擋膜與所述第一金屬阻擋膜的厚度一致。

3.根據權利要求2所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述金屬主體膜的厚度為所述第一金屬阻擋膜與所述第二金屬阻擋膜的厚度為

4.根據權利要求1-3任意一項所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述層間介質層為氧化硅膜，所述介質緩沖層為氮化硅膜、氮氧化硅膜或由兩者層疊構成的復合膜。

5.根據權利要求4所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述介質緩沖層的厚度為0.2-1.2μm。

6.根據權利要求1-3任意一項所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述電容式隔離芯片還包括設置于所述上極板下表面和/或所述下極板上表面的界面介質層。

7.根據權利要求6所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述界面介質層包括層疊設置的氮化硅膜與氮氧化硅膜。

8.根據權利要求7所述的電容式隔離芯片，其特征在于，構成所述界面介質層的氮化硅膜與氮氧化硅膜厚度均為0.5-1.5μm。

9.根據權利要求1-3任意一項所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述電容式隔離芯片還包括與所述下極板同層設置的金屬布線區以及與所述上極板同層設置的接線端，與所述金屬布線區相鄰的層間介質層內形成有若干與所述金屬布線區連接且填充有金屬物的第二接觸孔。

10.根據權利要求1-3任意一項所述的電容式隔離芯片，其特征在于，所述電容式隔離芯片還包括設置于所述上極板上側的鈍化層。

11.一種電容式隔離芯片的制作方法，包括：其特征在于，

提供襯底；

在所述襯底上依次形成下極板、至少兩層層間介質層以及上極板；其中，

在相鄰兩所述層間介質層中的上層層間介質層形成之前，還包括在相應下層層間介質層上依次形成金屬布線層與介質緩沖層，所述金屬布線層包括金屬主體膜及設置于所述金屬主體膜上表面的第一金屬阻擋膜；

在相鄰兩所述層間介質層中的上層層間介質層形成之后，還包括在所述上層層間介質內形成若干與其下側相應所述金屬布線層連接的第一接觸孔，并在所述第一接觸孔填充金屬物。