[發明專利]攝像器件、攝像器件的制造方法和電子裝置在審
| 申請號： | 202010543724.6 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN111799287A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發明（設計）人： | 佐藤信也 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 陳睆;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 攝像 器件 制造 方法 電子 裝置 | ||
1.一種攝像器件，其包括：
第一溝槽，所述第一溝槽設置在半導體基板的受光區域內的多個像素之間，所述半導體基板包括周邊區域和所述受光區域，所述受光區域設置有均包括光電轉換部的所述多個像素；和
第二溝槽，所述第二溝槽設置在所述半導體基板的所述周邊區域內，
其中，所述半導體基板的設置有所述第一溝槽的部分的厚度與所述半導體基板的設置有所述第二溝槽的部分的厚度不同。
2.根據權利要求1所述的攝像器件，其中，在所述半導體基板中，設置有所述第二溝槽的部分的厚度小于設置有所述第一溝槽的部分的厚度。
3.根據權利要求1所述的攝像器件，還包括挖入部，所述挖入部設置在所述半導體基板的一個表面或兩個表面的面對著所述第二溝槽的區域內。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的攝像器件，其中，所述第一溝槽分離所述多個像素中各像素的所述光電轉換部。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的攝像器件，還包括設置在所述周邊區域內的外部連接電極，
其中，所述第二溝槽設置在所述外部連接電極的周圍。
6.根據權利要求3所述的攝像器件，其中，所述挖入部填充有絕緣材料。
7.根據權利要求1至3中任一項所述的攝像器件，其中，所述第二溝槽穿透所述半導體基板。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的攝像器件，其中，所述攝像器件的遮光膜在所述第一溝槽和所述第二溝槽中延伸。
9.根據權利要求1至3中任一項所述的攝像器件，其中，在所述第一溝槽和所述第二溝槽中形成有空氣間隙。
10.一種攝像器件的制造方法，所述方法包括如下步驟：
在半導體基板的一個表面的周邊區域內設置挖入部，所述半導體基板包括受光區域和所述周邊區域，所述受光區域設置有均包括光電轉換部的多個像素；并且
在所述半導體基板的另一個表面設置第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽設置在所述受光區域內，所述第二溝槽設置在所述周邊區域的面對著所述挖入部的位置處。
11.根據權利要求10所述的攝像器件的制造方法，其中，通過兩級蝕刻形成所述挖入部。
12.根據權利要求10或11所述的攝像器件的制造方法，還包括步驟：在設置所述挖入部作為第一挖入部之后，設置第二挖入部，所述第二挖入部設置在所述半導體基板的所述另一個表面的面對著所述第一挖入部的位置處。
13.根據權利要求11所述的攝像器件的制造方法，還包括步驟：將絕緣材料嵌入到所述挖入部中。
14.一種設置有攝像器件的電子裝置，所述攝像器件是如權利要求1至9中任一項所述的攝像器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
