[發明專利]光電探測單元、光電探測組件以及激光測距器件

在審

• 申請號: 202010543358.4
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111579066A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 賈捷陽;秦宇;湯為;張超;臧凱;李爽
• 申請（專利權）人: 深圳市靈明光子科技有限公司
• 主分類號: G01J1/44
• 分類號: G01J1/44;G01S17/08;G01S7/481
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 虞凌霄

1.一種光電探測單元，其特征在于，包括：

基底；

光電探測結構，形成于所述基底內，用于接收光信號并轉換為電信號；

后端電路，形成于所述基底內，用于對所述光電探測結構形成的電信號進行處理后通過數據端口輸出，所述后端電路與所述光電探測結構沿X軸方向并排分布，所述X軸方向平行于基底頂面；

光學組件，沿Y軸方向疊設于所述基底上，所述光學組件具有朝向所述光電探測單元一側的入光面，所述入光面接收自所述光電探測單元側面入射的光線并調節所述光線的路徑以使所述光線入射至所述光電探測結構上，所述Y軸方向垂直于基底頂面。

2.如權利要求1所述的光電探測單元，其特征在于，所述光學組件位于所述光電探測結構的上方。

3.如權利要求1所述的光電探測單元，其特征在于，所述光學組件包括反射結構，所述光學組件將入射至所述入光面上的光線反射至所述光電探測結構上。

4.如權利要求1至3任一項所述的光電探測單元，其特征在于，所述光電探測結構包括單個單光子探測器、單光子探測器陣列、硅光電倍增管以及硅光電倍增管陣列中的任意一種。

5.一種光電探測組件，其特征在于，包括多個如權利要求1至4任一項所述的光電探測單元，各所述光電探測單元具有朝X軸方向相對設置的第一側面和第二側面，其中，所述第一側面位于所述光電探測結構背離所述后端電路的一側，所述光電探測單元沿Y軸方向和/或Z軸方向排布，各所述光電探測單元的第一側面位于所述光電探測組件的同一側。

6.如權利要求5所述的光電探測組件，其特征在于，各所述光電探測單元的第一側面相互對齊，各所述光電探測單元的第二側面相互對齊。

7.如權利要求5所述的光電探測組件，其特征在于，各所述光電探測單元的第一側面相互對齊，各所述光電探測單元的第二側面形成臺階結構。

8.如權利要求5至7任一項所述的光電探測組件，其特征在于，所述數據端口自所述基底的頂面和/或底面引出，相鄰所述光電探測單元的數據端口依次連接。

9.如權利要求5至7任一項所述的光電探測組件，其特征在于，所述數據端口自所述基底的第二側面引出，各所述數據端口相互連接。

10.一種激光測距器件，其特征在于，還包括激光發射器和光電探測組件，其中，所述光電探測組件為權利要求5至9任一項所述的光電探測組件，所述激光發射器發射的光線經目標物體反射后朝向所述光電探測組件的側面發射。

11.如權利要求10所述的激光測距器件，其特征在于，所述激光發射器夾設于光電探測單元之間。

12.如權利要求11所述的激光測距器件，其特征在于，所述激光測距器件包括N個所述激光發射器，N個所述激光發射器均勻分布于所述光電探測組件內，N≥1。