[發明專利]一種構建動態泊松阻抗屬性的方法及裝置有效
| 申請號: | 202010543110.8 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN111856570B | 公開(公告)日: | 2022-05-10 |
| 發明(設計)人: | 王磊;陳彬滔;白潔;杜炳毅;郭維華;雷明;鄭茜;何世琦;徐中華;史忠生;薛羅;馬輪;史江龍 | 申請(專利權)人: | 中國石油天然氣股份有限公司 |
| 主分類號: | G01V1/30 | 分類號: | G01V1/30 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 閆加賀;姚亮 |
| 地址: | 100007 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 構建 動態 阻抗 屬性 方法 裝置 | ||
1.一種構建動態泊松阻抗屬性的方法,其特征在于,所述構建動態泊松阻抗屬性的方法包括:
獲取研究工區全井段原始測井曲線以及測井解釋結論曲線;
將所述全井段原始測井曲線以及測井解釋結論曲線平均分成深層、中層、淺層三段測井曲線;
根據深層、中層、淺層三段測井曲線以及測井解釋結論數據分別計算對應深度段的具有待定系數的靜態泊松阻抗屬性曲線、含烴孔隙曲線以及流體參數曲線;
分別對深層、中層、淺層的三段具有待定系數的靜態泊松阻抗屬性曲線與對應深度段的含烴孔隙曲線進行相關性分析,得到最大相關系數對應的待定系數,確定對應深度段的靜態泊松阻抗屬性曲線待定參數值;
分別對深層、中層、淺層的三段流體參數曲線取平均值,獲得深層、中層、淺層三段對應的流體參數平均值;
對深層、中層、淺層三段的靜態泊松阻抗屬性曲線待定參數值與對應深度段的流體參數平均值進行線性擬合,得到線性關系式;
根據所述線性關系式、流體參數曲線以及靜態泊松阻抗屬性曲線,獲得動態泊松阻抗屬性曲線,包括:
將所述線性關系式帶入到靜態泊松阻抗屬性曲線中得到中間曲線,再將流體參數曲線代入所述中間曲線中,獲得如以下公式5)所示的動態泊松阻抗屬性曲線:
公式5)中,PId為動態泊松阻抗曲線;
Vp為縱波速度曲線;
Vs為橫波速度曲線;
ρ為密度曲線;
c1為深層段的靜態泊松阻抗屬性曲線與深層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值,c2為中層段靜態泊松阻抗屬性曲線與中層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值,c3為淺層段靜態泊松阻抗屬性曲線與淺層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值;
F1為深層段流體參數曲線的平均值,F2為中層段流體參數曲線的平均值,F3為淺層段流體參數曲線的平均值。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述原始測井曲線包括縱波速度曲線、橫波速度曲線以及密度曲線。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述測井解釋結論曲線包括孔隙度曲線以及含水飽和度曲線。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,根據深層、中層、淺層三段測井曲線以及測井解釋結論數據按照以下公式1)-公式3)分別計算對應深度段的具有待定系數的靜態泊松阻抗屬性曲線、含烴孔隙曲線以及流體參數曲線:
PI=Vpρ-cVsρ 公式1);
HP=φ(1-Sw) 公式2);
公式1)-公式3)中,PI為靜態泊松阻抗曲線,c為待定系數,HP為含烴孔隙曲線,F為流體參數曲線,Vp為縱波速度曲線,Vs為橫波速度曲線,ρ為密度曲線,φ為孔隙度曲線,Sw為含水飽和度曲線。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述分別對深層、中層、淺層的三段具有待定系數的靜態泊松阻抗屬性曲線與對應深度段的含烴孔隙曲線進行相關性分析,得到最大相關系數對應的待定系數,確定對應深度段的靜態泊松阻抗屬性曲線待定參數值,包括:
對深層、中層、淺層的三段具有待定系數的靜態泊松阻抗屬性曲線與對應深度段的含烴孔隙曲線進行相關性分析,得到最大相關系數對應的待定系數值,分別為c1,c2和c3,其中c1為深層段的靜態泊松阻抗屬性曲線與深層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值,c2為中層段靜態泊松阻抗屬性曲線與中層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值,c3為淺層段靜態泊松阻抗屬性曲線與淺層段的含烴孔隙曲線最大相關時的待定系數值。
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