[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202010542982.2 | 申請日： | 2020-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN112531031A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 林育樟;張添舜;聶俊峰;張惠政 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/762;H01L21/266;H01L21/265;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，包括：
一晶體管，具有一通道區，該通道區包含一成分元素與多個多余原子，且該成分元素屬于元素周期表的一族，其中：
該些多余原子為氮，或屬于元素周期表的該族，以及
該通道區中的該些多余原子的濃度介于約1019cm-3至約1021cm-3之間；以及
一隔離區，與該晶體管相鄰，該隔離區亦含有該些多余原子，且該隔離區中的該些多余原子的濃度介于約1020cm-3至約1021cm-3之間。
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