[發(fā)明專利]用于微環(huán)調(diào)制器的對(duì)應(yīng)關(guān)系生成、控制方法及裝置、系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010542519.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113810122A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高宇琦 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04B10/516 | 分類號(hào): | H04B10/516 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;馮建基 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 調(diào)制器 對(duì)應(yīng) 關(guān)系 生成 控制 方法 裝置 系統(tǒng) | ||
本公開(kāi)提供一種用于微環(huán)調(diào)制器的對(duì)應(yīng)關(guān)系生成方法,包括:分別確定微環(huán)調(diào)制器在多個(gè)測(cè)試溫度下的各個(gè)峰值控制參數(shù)值,所述峰值控制參數(shù)值為使所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值時(shí)的控制參數(shù)的值;確定所述微環(huán)調(diào)制器所處的溫度與所述峰值控制參數(shù)值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。本公開(kāi)還提供一種微環(huán)調(diào)制器的控制方法、一種微環(huán)調(diào)制器的控制裝置、一種微環(huán)調(diào)制器的控制系統(tǒng)、一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)實(shí)施例涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于微環(huán)調(diào)制器的對(duì)應(yīng)關(guān)系生成方法、一種微環(huán)調(diào)制器的控制方法、一種微環(huán)調(diào)制器的控制裝置、一種微環(huán)調(diào)制器的控制系統(tǒng)、一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。
背景技術(shù)
硅基光電子器件由于與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS,Complementary MetalOxide Semiconductor)兼容、尺寸小、具有良好的熱光效應(yīng)和等離子體色散效應(yīng)等優(yōu)勢(shì),在近些年取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。其中,硅基調(diào)制器由于可以用在光通信模塊中更是獲得了廣泛的研究。硅基馬赫曾德?tīng)栒{(diào)制器和硅基微環(huán)調(diào)制器都獲得了很大的發(fā)展。
相比于馬赫曾德?tīng)栒{(diào)制器,微環(huán)調(diào)制器在功耗、尺寸方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。但是,現(xiàn)有穩(wěn)定微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率的方法效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)實(shí)施例提供一種用于微環(huán)調(diào)制器的對(duì)應(yīng)關(guān)系生成方法、一種微環(huán)調(diào)制器的控制方法、一種微環(huán)調(diào)制器的控制裝置、一種微環(huán)調(diào)制器的控制系統(tǒng)、一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。
第一方面,本公開(kāi)實(shí)施例提供一種用于微環(huán)調(diào)制器的對(duì)應(yīng)關(guān)系生成方法,包括:
分別確定微環(huán)調(diào)制器在多個(gè)測(cè)試溫度下的各個(gè)峰值控制參數(shù)值,所述峰值控制參數(shù)值為使所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值時(shí)的控制參數(shù)的值;
確定所述微環(huán)調(diào)制器所處的溫度與所述峰值控制參數(shù)值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
在一些實(shí)施例中,對(duì)于任意一個(gè)測(cè)試溫度,確定所述微環(huán)調(diào)制器在當(dāng)前測(cè)試溫度下的峰值控制參數(shù)值的步驟包括:
判斷所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率是否達(dá)到峰值;
當(dāng)所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率未達(dá)到峰值時(shí),調(diào)節(jié)所述微環(huán)調(diào)制器的控制參數(shù),直至所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值,將所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值時(shí)的控制參數(shù)的值作為所述峰值控制參數(shù)值。
在一些實(shí)施例中,在判斷所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率是否達(dá)到峰值的步驟之后,所述對(duì)應(yīng)關(guān)系生成方法還包括:
當(dāng)所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值時(shí),將當(dāng)前控制參數(shù)的值作為所述峰值控制參數(shù)值。
在一些實(shí)施例中,對(duì)于任意一個(gè)測(cè)試溫度,確定所述微環(huán)調(diào)制器在當(dāng)前測(cè)試溫度下的峰值控制參數(shù)值的步驟還包括:
記錄所述峰值控制參數(shù)值。
在一些實(shí)施例中,判斷所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率是否達(dá)到峰值的步驟包括:
根據(jù)接收到的檢測(cè)電信號(hào)判斷所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率是否達(dá)到峰值;
其中,所述檢測(cè)電信號(hào)是根據(jù)以下步驟生成的:
將經(jīng)所述微環(huán)調(diào)制器調(diào)制后的輸出光信號(hào)分光,得到檢測(cè)光信號(hào);
通過(guò)所述檢測(cè)光信號(hào)對(duì)所述輸出光信號(hào)的功率進(jìn)行檢測(cè),得到檢測(cè)電信號(hào)。
在一些實(shí)施例中,確定所述微環(huán)調(diào)制器所處的溫度與所述峰值控制參數(shù)值之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系的步驟包括:
當(dāng)所述微環(huán)調(diào)制器的調(diào)制效率達(dá)到峰值時(shí),獲取所述微環(huán)調(diào)制器所處的實(shí)際環(huán)境溫度;
根據(jù)所述實(shí)際環(huán)境溫度確定所述微環(huán)調(diào)制器所處的溫度與所述峰值控制參數(shù)之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
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H04B10-00 利用微粒輻射束、或無(wú)線電波以外的電磁波,例如光、紅外線的傳輸系統(tǒng)
H04B10-02 .零部件
H04B10-22 .兩個(gè)可相對(duì)移動(dòng)的站之間的傳輸
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