[發明專利]噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置在審
| 申請號： | 202010542458.5 | 申請日： | 2020-06-15 |
| 公開（公告）號： | CN111560604A | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 于葛亮;張錦;劉偉銘;康斯坦丁·諾沃舍洛夫;孫正乾;楊金東 | 申請（專利權）人： | 無錫盈芯半導體科技有限公司;北京大學 |
| 主分類號： | C23C16/455 | 分類號： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214187 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 噴淋 式進氣 cvd 垂直 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置，其特征是：它包括噴淋管（1）與噴淋頭（2），噴淋管（1）的下端部固定有噴淋頭（2），噴淋管（1）的中段為具有螺旋管結構的預熱區（11），在噴淋頭（2）的底板上開設有噴淋孔（21）。
2.根據權利要求1所述的噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置，其特征是：所述預熱區（11）的內徑小于噴淋管（1）的上段內徑，預熱區（11）的內徑小于噴淋管（1）的下段內徑，噴淋管（1）的上段與下段的內徑相等。
3.根據權利要求2所述的噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置，其特征是：在噴淋管（1）的上段的外圓上固定有安裝盤（3）。
4.根據權利要求1所述的噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置，其特征是：在從上往下的方向上，所述噴淋頭（2）的內徑呈逐漸增大設置。
5.根據權利要求1所述的噴淋式進氣CVD的垂直噴淋裝置，其特征是：所述噴淋孔（21）的橫截面積之和小于噴淋管（1）的入口端面積。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
