[發(fā)明專利]多路復用器電路及其形成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010541797.1 | 申請日: | 2020-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN112086453A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉祈麟;謝尚志;李健興;馬偉翔;陳奕勛;李焯基 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/092 | 分類號: | H01L27/092;H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多路復用 電路 及其 形成 方法 | ||
一種多路復用器電路包括各自在X軸方向上延伸的第一鰭和第二鰭。第一、第二、第三和第四柵極在垂直于X軸方向的Y軸方向上延伸并且接觸第一鰭和第二鰭。第一、第二、第三和第四柵極配置為分別接收第一、第二、第三和第四數(shù)據信號。第五、第六、第七和第八柵極在Y軸方向上延伸并且接觸第一鰭和第二鰭、第五、第六、第七和第八柵極,并且配置為分別接收第一、第二、第三和第四選擇信號。輸入邏輯電路配置為在中間節(jié)點處提供輸出。第九柵極在Y軸方向上延伸并且接觸第一鰭和第二鰭。輸出邏輯電路配置為在輸出端子處提供第一、第二、第三和第四數(shù)據信號中所選擇的一個。本發(fā)明的實施例還涉及形成多路復用器的方法。
技術領域
本發(fā)明的實施例涉及多路復用器電路及其形成方法。
背景技術
集成電路可以包括許多具有不同功能的標準單元。例如,標準單元可以是諸如與(AND)門、或(OR)門、異或(XOR)門、非(NOT)門、與非(NAND)門、或非(NOR)門和異或(XNOR)門的邏輯門以及諸如多路復用器、觸發(fā)器、加法器和計數(shù)器的組合邏輯電路。可以實施標準單元以實現(xiàn)復雜的集成電路功能。當設計具有特定功能的集成電路時,選擇標準單元。接下來,設計人員或者EDA(電子設計自動化)或ECAD(電子計算機輔助設計)工具繪制包括所選擇的標準單元和/或非標準單元的集成電路的設計布局。設計布局轉換為光掩模。然后,當通過光刻工藝用光掩模定義的各個層的圖案被轉印到襯底上時,可以制造半導體集成電路。
為了方便集成電路設計,建立了包括頻繁使用的標準單元及其相應布局的庫。因此,當設計集成電路時,設計人員可以從庫中選擇所需的標準單元,并將所選擇的標準單元放置在自動布局和布線模塊中,從而可以創(chuàng)建集成電路的布局。
例如,這樣的標準單元庫可以包括數(shù)字多路復用器(DMUX)。DMUX用于各種應用。多路復用器是一種基于選擇信號在多個數(shù)據輸入信號中進行選擇并提供所選擇的一個或多個輸入的單個輸出的器件。多路解復用器接收單個多路復用的輸入,并將該輸入分成多個輸出信號。利用DMUX的示例應用包括存儲器器件和微控制器。
發(fā)明內容
本發(fā)明的實施例提供了一種多路復用器電路,包括:第一鰭和第二鰭,各自在X軸方向上延伸;第一柵極、第二柵極、第三柵極和第四柵極,在垂直于X軸方向的Y軸方向上延伸并且與第一鰭和第二鰭接觸,第一柵極、第二柵極、第三柵極和第四柵極配置為分別接收第一數(shù)據信號、第二數(shù)據信號、第三數(shù)據信號和第四數(shù)據信號;第五柵極、第六柵極、第七柵極和第八柵極,在Y軸方向上延伸并且與第一鰭和第二鰭接觸,第五柵極、第六柵極、第七柵極和第八柵極分別配置為接收第一選擇信號、第二選擇信號、第三選擇信號和第四選擇信號;輸入邏輯電路,包括第一鰭和第二鰭以及第一柵極、第二柵極、第三柵極、第四柵極、第五柵極、第六柵極、第七柵極和第八柵極,輸入邏輯電路配置為接收第一數(shù)據信號、第二數(shù)據信號、第三數(shù)據信號和第四數(shù)據信號以及第一選擇信號、第二選擇信號、第三選擇信號和第四選擇信號,并且在第一中間節(jié)點處提供輸出;第九柵極,在Y軸方向上延伸并且與第一鰭和第二鰭接觸,第九柵極連接到第一中間節(jié)點;以及輸出邏輯電路,包括第一鰭和第二鰭以及第九柵極,輸出邏輯電路配置為在輸出端子處提供第一數(shù)據信號、第二數(shù)據信號、第三數(shù)據信號和第四數(shù)據信號中所選擇的一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





