[發明專利]還原爐內壁處理裝置及其方法

在審

• 申請號: 202010541115.7
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111690924A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 張寶順;王體虎;宗冰
• 申請（專利權）人: 亞洲硅業(青海)股份有限公司;青海省亞硅硅材料工程技術有限公司
• 主分類號: C23C24/04
• 分類號: C23C24/04;C01B33/035
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 趙薇

1.一種還原爐內壁處理裝置，其特征在于，包括：鐘罩(100)、旋轉機構、磁感應加熱組件(200)以及冷氣體動力噴槍(300)；

所述鐘罩(100)具有密閉的容置空間；

所述旋轉機構與所述鐘罩(100)傳動連接，用于驅動所述鐘罩(100)旋轉；

所述磁感應加熱組件(200)包括高頻線圈(210)，所述高頻線圈(210)設置于所述容置空間內，用于將鐘罩內壁面加熱至預設溫度范圍；

所述冷氣體動力噴槍(300)設置于所述容置空間內，且相對所述鐘罩(100)轉動，用于向所述鐘罩內壁面噴射粉末。

2.根據權利要求1所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，所述高頻線圈(210)為中空管狀結構，所述中空管狀結構的一端用于連接進液管路，另一端用于連接出液管路。

3.根據權利要求1所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，還包括磁屏蔽組件(400)；

所述磁屏蔽組件(400)包括用于吸收所述高頻線圈(210)產生的電磁場的磁屏蔽罩，所述磁屏蔽罩位于所述容置空間內；

所述高頻線圈(210)位于所述鐘罩(100)與所述磁屏蔽罩的外周側之間；

所述冷氣體動力噴槍(300)包括槍體部(310)和噴射部(320)，所述槍體部(310)位于所述磁屏蔽罩內，所述噴射部(320)穿出所述磁屏蔽罩并朝向所述鐘罩內壁面設置。

4.根據權利要求3所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，所述磁屏蔽罩包括內磁屏蔽罩(410)和外磁屏蔽罩(420)，所述內磁屏蔽罩(410)與所述外磁屏蔽罩(420)圍成空腔；

所述空腔內設有冷卻管(430)，所述冷卻管(430)的一端用于連接進液管路，另一端用于連接出液管路；或者，所述空腔具有進口和出口，所述進口用于連接進液管路，所述出口用于連接出液管路；

優選的，所述冷卻管(430)的外徑為5～30mm，所述冷卻管(430)的內徑為2～20mm。

5.根據權利要求4所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，所述高頻線圈(210)為多組，多組所述高頻線圈(210)由上至下依次固定繞設在所述外磁屏蔽罩(420)的外周側，且與所述外磁屏蔽罩(420)之間留有第一間隙；

所述高頻線圈(210)與所述鐘罩內壁面之間留有第二間隙。

6.根據權利要求5所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，相鄰兩組所述高頻線圈(210)之間的間距為5～30mm；

和/或，所述高頻線圈(210)為中空管，所述高頻線圈(210)的外徑為10～30mm，所述高頻線圈(210)的內徑為5～20mm；

和/或，所述第一間隙的取值為5～50mm；

和/或，所述第二間隙的取值為10～50mm。

7.根據權利要求4所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，所述內磁屏蔽罩(410)和所述外磁屏蔽罩(420)均包括直筒段、上封頭以及下封頭，所述上封頭可拆卸連接于所述直筒段的上開口，所述下封頭可拆卸連接于所述直筒段的下開口；所述外磁屏蔽罩(420)包覆在所述內磁屏蔽罩(410)的外側，用于使兩者圍成所述空腔。

8.根據權利要求7所述的還原爐內壁處理裝置，其特征在于，所述內磁屏蔽罩(410)和所述外磁屏蔽罩(420)的壁厚均為5～20mm；

和/或，所述內磁屏蔽罩(410)與所述外磁屏蔽罩(420)之間的間距為10～50mm；

和/或，所述內磁屏蔽罩(410)和所述外磁屏蔽罩(420)的材質均為鎳合金或低碳鋼。