[發明專利]一種電容內置的晶體振蕩電路

有效

• 申請號: 202010541004.6
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111555717B
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 陳艷波;仵博;何國坤;李云杰
• 申請（專利權）人: 深圳職業技術學院
• 主分類號: H03B5/24
• 分類號: H03B5/24;H03B5/02
• 代理公司: 深圳市嘉宏博知識產權代理事務所 44273
• 代理人: 李杰

1.一種電容內置的晶體振蕩電路，其特征在于，其包括兩個單端放大器A23和A24、兩個內置電容C21和C22、反相驅動電路I25和限壓電路I26；

單端放大器A23的輸入端連接到晶體管腳XI，輸出端連接到內置電容C21的負端，內置電容C21的正端連接到晶體管腳XI；

單端放大器A24的輸入端連接到晶體管腳XO，輸出端連接到內置電容C22的負端，內置電容C22的正端連接到晶體管腳XO；

內置電容C21和內置電容C22的電容值相等；

單端放大器包括有輸入端I、電阻R31、電阻R32、NMOS管M33和輸出端O，NMOS管M33的柵極為單端放大器的輸入端I，NMOS管M33的源端連接到電阻R31的一端，電阻R31的另一端連接到地，NMOS管M33的漏端連接到電阻R32的一端，電阻R32的另一端連接到電源，NMOS管M33的漏端為單端放大器的輸出端O；

限壓電路I26包括有晶體管腳XO、NMOS管M41、PMOS管M42、PMOS管M43、PMOS管M44、電容C45、電流偏置IBIAS、電流源I46，NMOS管M41的柵極連接到晶體管腳XO，NMOS管M41的源極接地，NMOS管M41的漏極與PMOS管M42的漏極和柵極、PMOS管M43的柵極、電容C45的正端相連，PMOS管M43的漏極與PMOS管M44的漏極和柵極、電流源I46的正端相連，作為反相驅動電路I25的電流偏置IBIAS，電流源I46的負端接地，PMOS管M42、M43、M44的源極都接電源；

反相驅動電路I25包括NMOS管M51、晶體管腳XI、PMOS管M52、晶體管腳XO，NMOS管M51的柵極連接到晶體管腳XI，漏極接地；NMOS管M51的漏極與PMOS管M52的漏極相連，連接到晶體管腳XO；PMOS管M52的柵極連接到限壓電路I26的輸出IBIAS，PMOS管M52的源極接電源。

2.根據權利要求1所述的一種電容內置的晶體振蕩電路，其特征在于，內置電容C21和內置電容C22采用MIM電容。

3.根據權利要求1所述的一種電容內置的晶體振蕩電路，其特征在于，內置電容C21和內置電容C22的電容值取C_in，單端放大器的增益為A_v，XI和XO對地的等效電容C_x=C_in*(A_v+1)。