[發(fā)明專利]集成多路功率放大器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010540609.3
• 申請(qǐng)日: 2020-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN112134533A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閔勝基;瑪格麗特·A·斯馬諾夫斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 恩智浦美國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): H03F1/02
• 分類號(hào): H03F1/02;H03F1/42;H03F1/32;H03F1/56
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種多路放大器，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體管芯；

第一晶體管，所述第一晶體管與所述半導(dǎo)體管芯一體形成；

第二晶體管，所述第二晶體管與所述半導(dǎo)體管芯一體形成；

組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體管芯一體形成，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管的輸出電耦合到所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)；以及

并聯(lián)電感電路，所述并聯(lián)電感電路電耦合在所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接地參考節(jié)點(diǎn)之間，其中所述并聯(lián)電感電路包括與所述半導(dǎo)體管芯集成的并聯(lián)電感。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)緊密地電耦合到所述第二晶體管的所述輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述并聯(lián)電感電路包括：

第一集成電感，所述第一集成電感包括一組焊線，其中所述一組焊線中的每條焊線具有分別連接到第一接合焊盤和第二接合焊盤的第一端和第二端，所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤暴露于所述半導(dǎo)體管芯的頂表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多路放大器，其特征在于，所述并聯(lián)電感電路另外包括：

第二集成電感，所述第二集成電感包括一個(gè)或多個(gè)螺旋電感器，所述螺旋電感器與所述半導(dǎo)體管芯一體形成，并且在所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)與所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間與所述第一集成電感串聯(lián)耦合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多路放大器，其特征在于，所述并聯(lián)電感電路包括：

一個(gè)或多個(gè)集成電感；及

電容器，所述電容器電連接在所述一個(gè)或多個(gè)集成電感與所述接地參考節(jié)點(diǎn)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多路放大器，其特征在于，另外包括：

射頻(RF)冷點(diǎn)，所述射頻冷點(diǎn)位于所述一個(gè)或多個(gè)集成電感與所述電容器之間；及

視頻帶寬電路，所述視頻帶寬電路電耦合到所述RF冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多路放大器，其特征在于，所述視頻帶寬電路包括：

串聯(lián)耦合的電阻、電感和電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多路放大器，其特征在于，所述電阻、所述電感和所述電容中的至少一個(gè)與所述半導(dǎo)體管芯集成在一起。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多路放大器，其特征在于，所述電阻、所述電感和所述電容中的至少一個(gè)在芯片外實(shí)施，并且通過(guò)焊線電耦合到所述RF冷點(diǎn)節(jié)點(diǎn)。

10.一種多爾蒂放大器，其特征在于，包括：

主放大器晶體管；

峰值放大器晶體管，所述峰值放大器晶體管與半導(dǎo)體管芯一體形成；

組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體管芯一體形成，其中所述主晶體管和所述峰化晶體管的漏極端電耦合到所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)；以及

并聯(lián)電感電路，所述并聯(lián)電感電路電耦合在所述組合節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)與接地參考節(jié)點(diǎn)之間，其中所述并聯(lián)電感電路包括與所述半導(dǎo)體管芯集成的并聯(lián)電感。