[發明專利]選通器件、阻變存儲器及其操作方法在審
| 申請號： | 202010539856.1 | 申請日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN111653666A | 公開（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發明（設計）人： | 康晉鋒;張逸舟;黃鵬 | 申請（專利權）人： | 北京大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 器件 存儲器 及其 操作方法 | ||
1.一種選通器件，其特征在于，包括：
底電極；
阻變功能層，設置于所述底電極上；
阻斷選擇層，設置于所述阻變功能層上；以及
頂電極，設置于所述阻斷選擇層上；
其中，所述阻斷選擇層與所述阻變功能層之間電性串聯，所述阻斷選擇層具有阻斷特性，所述阻斷特性為：在正常工作電流狀態下具有導電性能，同時在超出正常工作電流的高工作電流狀態下轉變為非導電性能。
2.根據權利要求1所述的選通器件，其特征在于，
在所述正常工作電流狀態下，所述阻斷選擇層的電阻阻值Rs與所述阻變功能層的電阻阻值R高滿足：Rs＜R高，或所述阻斷選擇層的電阻阻值Rs與所述阻變功能層的電阻阻值R低滿足：Rs＜R低；
在所述高工作電流狀態下，所述阻斷選擇層的電阻阻值Rs與所述阻變功能層的電阻阻值R擊穿滿足：Rs≈R擊穿。
3.根據權利要求1所述的選通器件，其特征在于，所述阻斷選擇層的制備材料為低熔點金屬或相變材料，低熔點金屬包括：錫、銻之一或二者的合金；相變材料包括：GeSbTe。
4.根據權利要求1所述的選通器件，其特征在于，所述阻變功能層為阻變存儲器的存儲單元結構層。
5.根據權利要求4所述的選通器件，其特征在于，所述存儲單元結構層為1R單元結構或1S1R單元結構。
6.根據權利要求1所述的選通器件，其特征在于，所述選通器件還包括：
襯底，所述底電極設置于所述襯底的下表面上，用于為所述選通器件提供絕緣或隔離作用；其中，所述襯底包括：
開孔，穿設所述襯底，所述開孔的底表面為所述底電極的上表面；
其中，阻變功能層、阻斷選擇層、頂電極依次形成于所述開孔中的所述底電極的上表面上。
7.一種應用于權利要求1-6中任一項所述的選通器件的操作方法，其特征在于，包括：
在所述選通器件被意外擊穿的情況下，在被擊穿的所述選通器件的頂電極或底電極施加阻斷脈沖電壓，以實現所述選通器件的阻斷。
8.一種阻變存儲器，其特征在于，包括：
選通器件陣列，包括多個權利要求1-6中任一項所述的選通器件，
多條位線，其中每條位線沿第一方向與所述多個選通器件的每個選通器件的阻變功能層的漏端相連；
多條字線，其中每條字線沿第二方向與所述多個選通器件的每個選通器件的阻變功能層的柵端相連，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
9.一種應用于權利要求8所述的阻變存儲器的操作方法，其特征在于，
對選通器件陣列的多個選通器件依次進行選通操作，以確定被擊穿的選通器件；
在所述確定被擊穿的選通器件的阻變功能層的位線上施加阻斷脈沖電壓，以實現該選通器件的阻斷。
10.根據權利要求9所述阻變存儲器的操作方法，其特征在于，所述阻斷脈沖電壓Vs與所述選通器件陣列的set操作電壓Vset和reset操作電壓Vreset之間滿足：Vs＜Vset，Vs＜Vreset。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京大學，未經北京大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010539856.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種基于區塊鏈的醫療美容艙
- 下一篇：用于經導管治療瓣膜返流的系統和方法
