[發明專利]氣體傳感器和感測氣相分析物的方法

在審

• 申請號: 202010539747.X
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN112198220A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: C·穆爾澤;C·D·吉爾莫;H·J·尹;J·墨菲;B·利奇菲爾德
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司;羅門哈斯電子材料韓國有限公司
• 主分類號: G01N29/02
• 分類號: G01N29/02;G01N27/22;G01N27/12;G01N29/036
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;錢文宇

1.一種氣體傳感器，其包括：

基底；

所述基底上的多個電極；以及

用于吸附氣相分析物的所述基底上的聚合物感測層，所述分析物的吸附有效地改變所述氣體傳感器的性質，從而導致來自所述氣體傳感器的輸出信號發生變化，其中所述聚合物感測層包含選自取代的或未取代的聚亞芳基化物的聚合物，所述聚合物包括單體的反應產物，或所述反應產物的固化產物，所述單體包括包含芳族乙炔基團的第一單體和包含兩個或更多個環戊二烯酮基團的第二單體。

2.如權利要求1所述的氣體傳感器，其中所述聚合物感測層表現出具有0.15或更小的1648至1690cm^-1的總峰面積與1480至1522cm^-1的總峰面積的比率的FTIR光譜。

3.如權利要求2所述的氣體傳感器，其中所述聚合物感測層表現出具有1.0或更小的2190至2250cm^-1的總峰面積與1550至1650cm^-1的總峰面積的比率的拉曼光譜。

4.如權利要求1或2所述的氣體傳感器，其中所述聚合物感測層具有通過X射線光電子能譜法來測量的7原子％或更低的氧含量。

5.如權利要求1至4中任一項所述的氣體傳感器，其中所述聚合物感測層通過包括以下步驟的過程來形成：涂覆組合物，所述組合物包含所述第一單體、所述第二單體和溶劑；以及在惰性氣體氣氛中在300℃至400℃的溫度下固化所涂覆的組合物。

6.如權利要求1至5中任一項所述的氣體傳感器，其中所述第一單體選自式(1)或式(2、)的單體：

其中：R獨立地選自H、-C(＝O)OR²、取代的或未取代的C_6-20芳基、或者取代的或未取代的C_4-20雜芳基：R¹獨立地選自F、取代的或未取代的C_1-10烷基、取代的或未取代的C_6-20芳基、C_4-20雜芳基、-C≡C-R、-C(＝O)OR²、-C(＝O)NHR³、-O-C(＝O)R⁴、-NHC(＝O)R⁵、-S(＝O)₂-OR⁶、或S(＝O)₂-NHR³；R²獨立地選自H、取代的或未取代的C_1-10烷基、C_6-20芳基、或C_4-20雜芳基；R³獨立地選自H或者取代的或未取代的C_1-10烷基；R⁴獨立地選自H或者取代的或未取代的C_1-10烷基；R⁵獨立地選自H或者取代的或未取代的C_1-10烷基；R⁶獨立地選自H或者取代的或未取代的C_1-10烷基；并且式(1)中的a為0至2的整數，并且式(2)中的a為0至3的整數。

7.如權利要求6所述的氣體傳感器，其中所述第二單體具有式(3)：

其中每個R⁷獨立地選自H、取代的或未取代的C_1-6烷基、取代的或未取代的C_6-20芳基、或者取代的或未取代的C_4-20雜芳基；并且Ar¹是芳族部分。