[發(fā)明專利]超聲換能器制備方法、超聲換能器及信息采集元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010537595.X | 申請(qǐng)日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111446360A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王文軒;沈健;王紅超;紀(jì)登鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L41/312 | 分類號(hào): | H01L41/312;H01L41/047;H01L41/083;H01L41/09 |
| 代理公司: | 北京合智同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11545 | 代理人: | 李杰 |
| 地址: | 518045 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 超聲 換能器 制備 方法 信息 采集 元件 | ||
1.一種超聲換能器制備方法,其特征在于,包括:
在載片晶圓上形成未經(jīng)圖形化處理的第一電極層;
在所述第一電極層的第一表面上形成壓電層,所述第一電極層的第一表面在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述載片晶圓的一側(cè);
在所述壓電層的第一表面上形成第二電極層,并對(duì)所述第二電極層進(jìn)行圖形化處理,形成第二電極,所述壓電層的第一表面在所述壓電層遠(yuǎn)離所述第一電極層的一側(cè);
將在所述第二電極的第一表面上形成的支撐振膜層與基底層的第一表面進(jìn)行鍵合,并去除所述載片晶圓,所述第二電極的第一表面在所述第二電極遠(yuǎn)離所述壓電層的一側(cè);
對(duì)所述第一電極層進(jìn)行圖形化處理,以形成第一電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述將在所述第二電極的第二表面形成的支撐振膜層與基底層的第一表面進(jìn)行鍵合,并去除所述載片晶圓,包括:
在所述第二電極的第一表面上形成支撐振膜層;
在所述支撐振膜層上形成第一凹槽;
將所述支撐振膜層與所述基底層的第一表面進(jìn)行鍵合,以使得所述支撐振膜層與所述基底層在所述第一凹槽處形成空腔,并去除所述載片晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述將在所述第二電極的第二表面形成的支撐振膜層與基底層進(jìn)行鍵合,并去除所述載片晶圓,包括:
在所述第二電極的第一表面上形成支撐振膜層;
將所述支撐振膜層與帶有第二凹槽的基底層的第一表面進(jìn)行鍵合,以使得所述支撐振膜層與所述基底層在所述第二凹槽處形成空腔,并去除所述載片晶圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述對(duì)所述第一電極層進(jìn)行圖形化處理,以形成第一電極之后,所述方法還包括:
在所述第一電極的第二表面形成鈍化保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述在所述第一電極的第二表面形成鈍化保護(hù)層之后,所述方法還包括:
在所述鈍化保護(hù)層覆蓋所述第一電極的位置上形成貫穿所述鈍化保護(hù)層,并到達(dá)所述第一電極的第一開孔;
在所述第一開孔處進(jìn)行線路層沉積和圖形化處理,使得所述第一電極通過所述第一開孔與外部連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述在所述第一電極的第二表面形成鈍化保護(hù)層之后,所述方法還包括:
在所述鈍化保護(hù)層覆蓋所述第二電極且未覆蓋所述第一電極的位置上,形成貫穿所述鈍化保護(hù)層和所述壓電層,并到達(dá)所述第二電極的第二開孔;
在所述第二開孔處進(jìn)行線路層沉積和圖形化處理,使得所述第二電極通過所述第二開孔與外部連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述在所述第一電極的第二表面形成鈍化保護(hù)層之后,所述方法還包括:
在所述鈍化保護(hù)層未覆蓋所述第一電極及所述第二電極的位置上形成貫穿所述鈍化保護(hù)層、所述壓電層和所述支撐振膜層并到達(dá)所述基底層的電極的第三開孔,以使所述基底層的電極的第一表面暴露在所述第三開孔內(nèi);
在所述第三開孔處進(jìn)行線路層沉積和圖形化處理,以使得所述基底層的電極通過所述第三開孔與外部連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲換能器制備方法,其特征在于,所述對(duì)所述第一電極層進(jìn)行圖形化處理,以形成第一電極之后,所述方法還包括:
在所述壓電層未覆蓋所述第一電極的位置上形成延伸至所述第二電極的第四開孔,以使所述第二電極的第一表面暴露在所述第四開孔內(nèi);
在所述第一電極的第二表面形成鈍化保護(hù)層,并在所述鈍化保護(hù)層與所述第四開孔對(duì)應(yīng)的位置,形成貫穿所述鈍化保護(hù)層,并與所述第四開孔連通的第五開孔;
在所述第四開孔及所述第五開孔處進(jìn)行線路層沉積和圖形化處理,使得所述第二電極通過所述第四開孔及所述第五開孔與外部連接。
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