[發(fā)明專利]一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010536929.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-12 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111510120A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張慶亞;付美俊;靳瑞英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 帝奧微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/04 | 分類號(hào): | H03K17/04;H03K17/687;H03K17/689;H03K17/693 |
| 代理公司: | 北京睿智保誠(chéng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
| 地址: | 226000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 電壓 處理 功能 功耗 模擬 開(kāi)關(guān) | ||
1.一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān),其特征在于,包括:
第一開(kāi)關(guān)管(11);
第一驅(qū)動(dòng)電路(114),所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)與所述第一開(kāi)關(guān)管(11)的柵極連接;
上拉管(13),所述上拉管(13)的漏級(jí)與所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)及所述第一開(kāi)關(guān)管(11)的柵極連接;
第二開(kāi)關(guān)管(12),所述第二開(kāi)關(guān)管(12)的漏級(jí)與所述第一開(kāi)關(guān)管(11)的源極連接,所述第二開(kāi)關(guān)管(12)的源極與所述第一開(kāi)關(guān)管(11)的漏級(jí)連接;
第二驅(qū)動(dòng)電路(115),所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)與所述第二開(kāi)關(guān)管(12)的柵極連接;
下拉管(14),所述下拉管(14)的漏級(jí)與所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)及所述第二開(kāi)關(guān)管(12)的柵極連接;
第一電平移位電路(102),所述第一電平移位電路(102)分別與所述上拉管(13)的柵極和所述下拉管(14)的柵極連接;
第二電平移位電路(112),所述第二電平移位電路(112)與所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)及所述第一電平移位電路(102)連接;
第三電平移位電路(113),所述第三電平移位電路(113)與所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)連接、第一電平移位電路(102)及所述第二電平移位電路(112);
邏輯控制電路(111),所述邏輯控制電路(111)分別與所述第二電平移位電路(112)和所述第三電平移位電路(113)連接;
電源電壓檢測(cè)電路(101),所述電源電壓檢測(cè)電路(101)分別與所述第一電平移位電路(102)、所述第二電平移位電路(112)和所述第三電平移位電路(113)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān),其特征在于,所述上拉管(13)的源極為高壓輸出端,所述高壓輸出端與所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)、所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)、所述第一電平移位電路(102)、所述第二電平移位電路(112)及所述第三電平移位電路(113)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān),其特征在于,所述下拉管(14)的源極為低壓輸出端,所述低壓輸出端與所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)、所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)、所述第一電平移位電路(102)、所述第二電平移位電路(112)及所述第三電平移位電路(113)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān),其特征在于,所述電源電壓檢測(cè)電路(101),包括:第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第一電阻、第二電阻以及第一電容,所述第一pmos管的漏級(jí)接所述第一電阻的一端,所述第一pmos管的柵極、源極與所述第二pmos管的源極及所述第一電容的一端連接,所述第二pmos管的柵極與所述第一nmos管的柵極、所述第二電阻的一端連接,所述第二pmos管的漏極與所述第一nmos管的漏極、所述第二nmos管的柵極連接,所述第一nmos管的源極接地,所述第二nmos管的源極接地,所述第一電阻和所述第二電阻的另一端分別接電源電壓,所述第一電容的另一端與所述第一電平移位電路(102)、所述第二電平移位電路(112)、所述第三電平移位電路(113)、所述第一驅(qū)動(dòng)電路(114)、所述第二驅(qū)動(dòng)電路(115)及所述下拉管(14)的源極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有電壓處理功能的無(wú)功耗模擬開(kāi)關(guān),其特征在于,所述第一電平移位電路(102)與所述第二電平移位電路(112)、所述第三電平移位電路(113)為相同電平位移位電路,所述電平位移電路包括:第七pmos管、第八pmos管、第九pmos管、第十pmos管,第七nmos管、第八nmos管、第九nmos管、第十nmos管、第四電阻、反相器;
所述第七pmos管的源極、所述第八pmos管的源極、所述第九pmos管的源極和所述第十pmos管的源極相接,所述第七pmos管的柵極與所述第八pmos管的漏極、所述第八nmos管的漏極與所述第九pmos管的柵極相接,所述第七pmos管的漏極、所述第七nmos管的漏極、所述第八pmos管的柵極與所述第十pmos管的柵極相接,所述第九pmos管的漏極、所述第九nmos管的漏極與所述第十nmos管的柵極相接,所述第十pmos管的漏極、所述第十nmos管的漏極與所述第九nmos管的柵極相接,所述第七nmos管的柵極與所述第四電阻的一端、所述反相器的輸入端相接,所述第八nmos管的柵極與所述反相器的輸出端相接,所述第七nmos管的源極和所述第八nmos管的源極接地,所述第九nmos管的源極和所述第十nmos管的源極相接,所述第四電阻的另一端接電源電壓。
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