[發明專利]晶體生長爐

有效

• 申請號: 202010536809.1
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111534854B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 郭雪嬌
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/36
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種晶體生長爐，包括腔室、坩堝及通氣結構，所述坩堝設置于所述腔室內，其特征在于，

所述通氣結構包括通氣管路和設置在所述腔室中的匯流室；所述通氣管路的進氣口開設于所述腔室的底壁上，所述通氣管路穿過所述腔室的底壁，與所述匯流室相連通；所述匯流室設置于所述坩堝的下方，與所述坩堝的底壁固定連接，用以將所述通氣管路內的工藝氣體匯聚至所述坩堝的底壁，且所述工藝氣體原子可直接從所述坩堝的底壁滲入所述坩堝內。

2.根據權利要求1所述的晶體生長爐，其特征在于，所述匯流室包括底壁和側壁，所述側壁固定設置于所述坩堝的底壁上；所述底壁和側壁與所述坩堝的底壁圍合成用于容納所述工藝氣體的空間。

3.根據權利要求2所述的晶體生長爐，其特征在于，所述匯流室的底壁上開設有通孔，所述通孔與所述通氣管路相連通。

4.根據權利要求2所述的晶體生長爐，其特征在于，所述坩堝包括坩堝側壁和設置于所述坩堝下部、且與所述坩堝側壁連接的隔擋件，所述隔擋件與所述坩堝的底壁為同一部件。

5.根據權利要求4所述的晶體生長爐，其特征在于，所述隔擋件與所述坩堝側壁之間螺紋連接。

6.根據權利要求4或5所述的晶體生長爐，其特征在于，所述隔擋件的底面上開設有多個凹槽，用于增加所述工藝氣體與所述隔擋件的接觸面積；所述凹槽的槽口向下，朝向所述匯流室。

7.根據權利要求6所述的晶體生長爐，其特征在于，所述隔擋件為圓形擋板，所述凹槽為圓形槽。

8.根據權利要求7所述的晶體生長爐，其特征在于，多個所述凹槽均布于所述隔擋件的底面上，且每個所述凹槽的底面圓心與所述隔擋件的圓心之間距離相同。

9.根據權利要求4所述的晶體生長爐，其特征在于，所述隔擋件的厚度小于所述坩堝側壁的厚度。

10.根據權利要求4所述的晶體生長爐，其特征在于，所述工藝氣體為氫氣，所述坩堝為石墨坩堝，且所述隔擋件為石墨材質。