[發明專利]一種金屬凸塊的制備方法和半導體器件

有效

• 申請號: 202010536661.1
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111653487B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 王愛君
• 申請（專利權）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/00;H01L23/488
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種金屬凸塊的制備方法，其特征在于，包括：

在芯片功能面上的每個焊盤位置處形成第一金屬部；

在所述第一金屬部遠離所述芯片的一側表面形成凹槽；

在所述凹槽位置處形成第二金屬部，所述第二金屬部的高度大于所述凹槽的深度，所述第二金屬部和所述第一金屬部形成所述金屬凸塊；

其中，所述在所述第一金屬部遠離所述芯片的一側表面形成凹槽的步驟之前，還包括：在所述芯片的功能面上形成圖案化的第一光阻涂層，所述第一光阻涂層對應于所述第一金屬部設置有第一通孔，部分所述第一金屬部從所述第一通孔中露出；

所述在所述第一金屬部遠離所述芯片的一側表面形成凹槽的步驟包括：蝕刻去除從所述第一通孔位置處露出的部分所述第一金屬部，以在所述第一金屬部遠離所述芯片的一側表面形成所述凹槽；

所述在所述凹槽位置處形成第二金屬部的步驟之后，還包括：去除所述第一光阻涂層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽位置處形成第二金屬部的步驟包括：

在所述凹槽底部形成第一金屬層，所述凹槽的部分空間未被所述第一金屬層占據；

在所述第一金屬層遠離所述第一金屬部的一側表面形成第二金屬層，所述第二金屬層和所述第一金屬層形成所述第二金屬部。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在芯片功能面上的每個焊盤位置處形成第一金屬部的步驟包括：

在所述芯片功能面形成圖案化的第二光阻涂層，所述第二光阻涂層對應于所述焊盤位置處設置有第二通孔；

在所述第二通孔內形成所述第一金屬部；

去除所述第二光阻涂層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述芯片功能面設置有圖案化的鈍化層，所述鈍化層對應所述焊盤位置處設置有第三通孔；

所述在芯片功能面上的每個焊盤位置處形成第一金屬部的步驟之前，還包括：

在所述鈍化層遠離所述芯片的一側表面以及在所述第三通孔內形成凸塊下金屬層；

所述在所述凹槽位置處形成第二金屬部的步驟之后，還包括：

去除未被所述第一金屬部覆蓋的所述凸塊下金屬層。