[發明專利]一種功率半導體模塊

在審

• 申請號: 202010535948.2
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN112289763A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 梁小廣
• 申請（專利權）人: 無錫利普思半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 程爽

1.一種功率半導體模塊，包括金屬底板(1)、絕緣散熱材料層(2)、芯片(3)、綁定板(4)、硅膠(5)、外殼(6)，其特征在于：所述綁定板(4)包括銅板(7)、銅帶(8)，所述銅板(7)通過焊接與銅帶(8)連接，所述綁定板(4)用于各部件的電路連接，所述金屬底板(1)通過焊錫與絕緣散熱材料層(2)連接，所述芯片(3)通過焊錫與絕緣散熱材料層(2)連接，所述芯片(3)與銅帶(8)連接，所述銅帶(8)與絕緣散熱材料層(2)連接。

2.如權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述外殼(6)與金屬底板(1)通過點膠工藝連接。

3.如權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述硅膠(5)填充于外殼(6)內，防腐防潮，保護內部電路，對內部各部件進行高壓隔離。

4.如權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述銅板(7)通過激光焊接、超音波焊接與銅帶(8)連接。

5.如權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述芯片(3)通過焊接或者燒結與銅帶(8)連接，所述銅帶(8)通過焊接或者燒結與絕緣散熱材料層(2)連接。