[發明專利]超低功耗模擬開關

在審

• 申請號: 202010535905.4
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111555620A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 張慶亞;付美俊;靳瑞英
• 申請（專利權）人: 帝奧微電子有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158;H02M1/10;G01R19/00;G01R31/40
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

1.一種超低功耗模擬開關，其特征在于，包括：

電源電壓檢測電路(102)、高電壓選擇電路(107)、低電壓選擇電路(108)、第一電平移位器(112)、第二電平移位器(113)、邏輯控制電路(111)、上拉管(13)、下拉管(14)、第一驅動電路(109)、第二驅動電路(110)、第一主開關(11)、第二主開關(12)和開關管襯底選擇電路(101)；

所述電源電壓檢測電路(102)的第一輸出端口與所述上拉管(13)的柵極連接；所述上拉管(13)的漏極與所述第一驅動電路(109)的輸出端口和所述第一主開關(11)的柵極連接；

所述電源電壓檢測電路(102)的第二輸出端口與所述下拉管(14)的柵極連接；所述下拉管(14)的漏極與所述第二驅動電路(110)的輸出端口和所述第二主開關(12)的柵極連接；

所述電源電壓檢測電路(102)的第二輸出端口與所述第一電平移位器(112)和所述第二電平移位器(113)的第三輸入端口連接，所述第一電平移位器(112)的輸出端口與所述第一驅動電路(109)的第三輸入端口連接，所述第二電平移位器(113)的輸出端口與所述第二驅動電路(110)的第三輸入端口連接；

所述開關管襯底選擇電路(101)的第一輸入/輸出端口與所述第一主開關(11)和所述第二主開關(12)的源極連接，第二輸入/輸出端口與所述第一主開關(11)和所述第二主開關(12)漏極連接；

所述邏輯控制電路(111)的第一輸出端口與所述第一電平移位器(112)的第四輸入端口連接，所述邏輯控制電路(111)的第二輸出端口與所述第二電平移位器(113)的第四輸入端口連接；

所述高電壓選擇電路(107)的輸出端口與所述電源電壓檢測電路(102)的第一輸入端口、所述第一電平移位器(112)的第一輸入端口、所述第二電平移位器(113)的第一輸入端口、所述第一驅動電路(109)的第一輸入端口、所述第二驅動電路(110)的第一輸入端口、所述上拉管(13)的源極和所述上拉管(13)的襯底連接；

所述低電壓選擇電路(108)的輸出端口與所述電源電壓檢測電路(102)的第二輸入端口、所述第一電平移位器(112)的第二輸入端口、所述第二電平移位器(113)的第二輸入端口、所述第一驅動電路(109)的第二輸入端口、所述第二驅動電路(110)的第二輸入端口、所述下拉管(14)的源極和所述下拉管(14)的襯底連接；

所述開關管襯底選擇電路(101)的第一輸入/輸出端口和第二輸入/輸出端口、所述高電壓選擇電路(107)和所述低電壓選擇電路(108)的輸入端口連接外部信號電路。

2.根據權利要求1所述的一種超低功耗模擬開關，其特征在于，所述電源電壓檢測電路(102)包括：第一輸入端口、第二輸入端口，第一輸出端口、第二輸出端口，電阻(39)、反相器(310)，晶體管(31)、晶體管(32)、晶體管(33)、晶體管(34)、晶體管(311)，以及晶體管(35)、晶體管(36)、晶體管(37)、晶體管(38)、晶體管(312)、晶體管(313)、晶體管(314)。

3.根據權利要求2所述的一種超低功耗模擬開關，其特征在于，所述晶體管(31)、所述晶體管(32)、所述晶體管(33)、所述晶體管(34)和所述晶體管(311)為pmos管，所述晶體管(35)、所述晶體管(36)、所述晶體管(37)、所述晶體管(38)、所述晶體管(312)、所述晶體管(313)和所述晶體管(314)為nmos管。

4.根據權利要求3所述的一種超低功耗模擬開關，其特征在于，所述晶體管(312)和所述晶體管(314)為1vt型nmos晶體管。