[發明專利]一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件及其成型方法在審
| 申請號: | 202010535834.8 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN111755547A | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 莊浩;黃國平;孫觀;嚴勛;姜亞帥;李菁楠 | 申請(專利權)人: | 中節能太陽能科技(鎮江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;B29C69/02;B29C71/00;B29C71/04 |
| 代理公司: | 鎮江基德專利代理事務所(普通合伙) 32306 | 代理人: | 鄧月芳 |
| 地址: | 212000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 封裝 變易 回收 雙面 發電 組件 及其 成型 方法 | ||
1.一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件,其特征在于,所述的發電組件包括自上而下依次層疊設置的玻璃前板、第一封裝膠膜層、晶硅雙面電池片、第二封裝膠膜層和玻璃/透明背板,所述的第一封裝膠膜層從上而下依次為膠膜外層、膠膜中間層和膠膜內層,第二封裝膠膜層從上而下依次為膠膜內層、膠膜中間層和膠膜外層;所述的膠膜中間層內外兩面均設有凸點,膠膜外層和膠膜內層均設有與所述凸點相適配的凹槽;所述的凸起和凹槽之間、膠膜外層和膠膜內層通過高溫形成微交聯。
2.根據權利要求1所述的一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件,其特征在于,所述的凸點高度為50-250μm。
3.根據權利要求1所述的一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件,其特征在于,所述的膠膜中間層材料為乙烯-丁烯共聚物或乙烯-辛烯共聚物中的任意一種。
4.根據權利要求1所述的一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件,其特征在于,所述的膠膜外層和膠膜內層材料為乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物或乙烯-辛烯共聚物中的任意一種。
5.如權利要求1所述的一種基于凸點封裝的抗蠕變易回收晶硅雙面發電組件用封裝膠膜層的成型方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)將膠膜中間層材料熔融擠出成片狀中間層,將所述片狀基質層通過設有若干個凹陷的輥輪,并經所述的輥輪對所述的片狀中間層進行擠壓,得到具有凸點結構的擠壓中間層;
(2)將所述擠壓中間層通過電子輻照預交聯處理后得到預交聯中間層,中間層的輻照加工速度10-18m/min,輻照電子束流強度為4-8mA;
(3)將膠膜外層和膠膜內層材料分別涂布于預交聯中間層的兩側,分別形成膠膜外層和膠膜內層,成型過程中與中間層形成微交聯,得到所述的封裝膠膜層,其中成型溫度120-160℃,時間10-100s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





