[發明專利]一種μLED像素單元結構及顯示器件

有效

• 申請號: 202010535535.4
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111798764B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 郭太良;翁雅戀;周雄圖;張永愛;吳朝興;孫捷;嚴群
• 申請（專利權）人: 福州大學;閩都創新實驗室
• 主分類號: G09F9/33
• 分類號: G09F9/33;G09F9/302;H01L27/15
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 丘鴻超;蔡學俊

1.一種μLED像素單元結構，其特征在于，包含n個μLED芯片，所述n個μLED芯片無需精準取向和定位，以形成至少m個μLED發光體，所述μLED芯片電極的設置方式包括兩個電極分別設置于μLED芯片的上下兩側以及兩個電極設置于μLED芯片的同一側，所述μLED芯片電極和驅動背板電極均設置有互連區域和互連失效后用于修復連接的備用區域，所述μLED芯片電極與驅動背板電極采用Au-In鍵合、非Au-In互連或Au-In鍵合和非Au-In互連復合的方式互連；當所述μLED芯片的兩個電極分別設置于μLED芯片的上下兩側時，所述μLED芯片上側面電極的互連區域和備用區域均設置于μLED芯片的上側面，所述μLED芯片下側面電極的互連區域和備用區域分別設置于μLED芯片的下側面和上側面，并以導電材料連接，所述驅動背板的兩個電極也均對應設置互連區域和備用區域，所述μLED芯片下側面電極的互連區域采用Au-In鍵合方式與驅動背板第一電極的互連區域互連，所述μLED芯片上側面電極的互連區域采用非Au-In互連方式與驅動背板第二電極的互連區域連接；

當所述μLED芯片的兩個電極均設置于μLED芯片的上側面時，所述μLED芯片的兩個電極的互連區域和備用區域均設置于μLED芯片的上側面，所述驅動背板的兩個電極也均對應設置互連區域和備用區域，所述μLED芯片的兩個電極的互連區域采用非Au-In互連方式分別與驅動背板對應電極的互連區域連接；

當所述μLED芯片的兩個電極均設置于μLED芯片的下側面時，所述μLED芯片的兩個電極的互連區域均設置于μLED芯片的下側面，而備用區域均設置于μLED芯片的上側面，并以導電材料連接對應的互連區域和備用區域，所述驅動背板的兩個電極也均對應設置互連區域和備用區域，所述μLED芯片的兩個電極的互連區域采用Au-In鍵合方式分別與驅動背板對應電極的互連區域連接。

2.根據權利要求1所述的一種μLED像素單元結構，其特征在于，所述μLED發光體為μLED芯片電極與驅動背板電極互連并施加驅動信號后可以正常發光的μLED芯片，所述m、n為正整數且m≤n。

3.根據權利要求1所述的一種μLED像素單元結構，其特征在于，當檢測到所述μLED像素單元為不良像素單元時，通過原位非Au-In互連方式進行修復，即將不良像素單元中μLED芯片的電極的備用區域采用非Au-In互連方式與驅動背板對應電極的備用區域連接。

4.根據權利要求1所述的一種μLED像素單元結構，其特征在于，未對所述μLED像素單元進行檢測前，將所述μLED芯片電極的互連區域和備用區域，分別與驅動背板對應電極的互連區域和備用區域同時連接，以提高μLED芯片與驅動背板連接的可靠性和良品率。

5.根據權利要求1所述的一種μLED像素單元結構，其特征在于，所述μLED芯片表面在除電極外的其他區域設置介質層。

6.根據權利要求1所述的一種μLED像素單元結構，其特征在于，所述非Au-In互連方式包括噴墨打印、絲網印刷、卷對卷印刷、遮擋鍍膜、激光焊接和引線焊接。

7.一種基于權利要求1所述μLED像素單元結構的μLED顯示器件，其特征在于，所述μLED顯示器件在驅動背板上陣列設置有k個μLED像素單元，每個μLED像素單元包含n_i個μLED芯片，所述n_i個μLED芯片無需精準取向和定位，以形成至少m_i個μLED發光體，所述m_i、n_i為正整數且m_i≤n_i，i表示第i個μLED像素單元，i = 1, 2, …, k；所述μLED芯片電極的設置方式包括兩個電極分別設置于μLED芯片的上下兩側以及兩個電極設置于μLED芯片的同一側，所述μLED芯片電極和驅動背板電極均設置有互連區域和互連失效后用于修復連接的備用區域，所述μLED芯片電極與驅動背板上對應電極采用Au-In鍵合、非Au-In互連或Au-In鍵合和非Au-In互連復合的方式互連。