[發(fā)明專利]彩膜基板及其制備方法與顯示面板

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• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111708209A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞云
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1339
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

1.一種彩膜基板，所述彩膜基板包括像素區(qū)及非像素區(qū)，其特征在于，所述彩膜基板包括：

基板；

色阻層，設(shè)于所述基板上，所述形成色阻層包括形成第一色阻，第二色阻以及第三色阻，所述第一色阻包括形成于所述像素區(qū)的第一色阻像素部以及形成于所述非像素區(qū)的第一色阻墊高部，所述第二色阻包括形成于所述像素區(qū)的第二色阻像素部以及形成于所述非像素區(qū)的第二色阻遮光部，所述第三色阻包括形成于所述像素區(qū)的第三色阻像素部，

其中，所述第二色阻遮光部設(shè)于所述第一色阻墊高部的上側(cè)，且，位于所述第一色阻墊高部上側(cè)的部分所述第二色阻遮光部的厚度小于所述第二色阻遮光部其他部分的厚度；

透明電極層，設(shè)于所述色阻層上；以及

黑色間隔柱層，設(shè)于所述透明電極層上。

2.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一色阻墊高部的關(guān)鍵尺寸為10-20微米。

3.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一色阻墊高部在所述基板上的正投影的形狀為正方形，長方形或L字型。

4.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第二色阻遮光部的厚度小于所述第二色阻像素部的厚度。

5.如權(quán)利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述第二色阻遮光部的厚度為所述第二色阻像素部厚度的50-70％。

6.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑色間隔柱層包括黑色矩陣區(qū)，主間隔柱區(qū)以及次間隔柱區(qū)，所述第一色阻墊高部設(shè)于所述主間隔柱區(qū)以及次間隔柱區(qū)對應(yīng)區(qū)域之下，使得所述主間隔柱區(qū)以及次間隔柱區(qū)與黑色矩陣區(qū)形成高度差。

7.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述第二色阻遮光部與所述黑色間隔柱層對應(yīng)設(shè)置，以實(shí)現(xiàn)所述非像素區(qū)的堆疊遮光。

8.如權(quán)利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述透明電極層設(shè)于所述像素區(qū)與非像素區(qū)，完全覆蓋所述色阻層。

9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的彩膜基板。

10.一種彩膜基板的制備方法，所述彩膜基板包括像素區(qū)及非像素區(qū)，其特征在于，所述制作方法包括：

S10:提供一基板，在所述基板上形成色阻層，包括形成第一色阻，第二色阻以及第三色阻，其中，所述第一色阻包括形成于所述像素區(qū)的第一色阻像素部以及形成于所述非像素區(qū)的第一色阻墊高部，所述第二色阻包括形成于所述像素區(qū)的第二色阻像素部以及形成于所述非像素區(qū)的第二色阻遮光部，所述第三色阻包括形成于所述像素區(qū)的第三色阻像素部，且，所述第二色阻形成于所述第一色阻及所述基板上，使所述第二色阻的遮光部對應(yīng)于所述第一色阻墊高部上；

S20:在所述色阻層上形成透明電極層；以及

S30:在所述透明電極層上的所述非像素區(qū)域形成黑色間隔柱層。