[發(fā)明專利]超聲傳感器和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010535180.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112099020A | 公開（公告）日： | 2020-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 文泰亨;金在鉉;李成秦;延得豪 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G01S15/89 | 分類號(hào)： | G01S15/89;G06F3/043;G06K9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;王鵬 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超聲 傳感器 顯示裝置 | ||
1.一種超聲傳感器，包括：
基板；
多個(gè)薄膜晶體管，所述多個(gè)薄膜晶體管中的每一個(gè)設(shè)置在所述基板上的多個(gè)像素區(qū)域中的相應(yīng)的一個(gè)像素區(qū)域中；
設(shè)置在所述多個(gè)薄膜晶體管上的平坦化層，所述平坦化層包括多個(gè)孔；
在所述平坦化層上分別設(shè)置在所述多個(gè)像素區(qū)域中的多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極通過所述多個(gè)孔分別電連接至相應(yīng)的薄膜晶體管；
設(shè)置在所述平坦化層和所述多個(gè)像素電極上的壓電材料，所述壓電材料在除了其中設(shè)置有所述孔的區(qū)域以外的區(qū)域中包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及
設(shè)置在所述壓電材料上的至少一個(gè)公共電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲傳感器，其中，設(shè)置在所述壓電材料的第一部分下方的所述平坦化層的厚度小于設(shè)置在所述壓電材料的第二部分下方的所述平坦化層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲傳感器，其中，設(shè)置在其中設(shè)置有所述壓電材料的第一部分的像素區(qū)域上的所述公共電極的面積小于設(shè)置在其中設(shè)置有所述壓電材料的所述第二部分的像素區(qū)域上的所述公共電極的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超聲傳感器，其中，設(shè)置在所述壓電材料的第一部分下方的所述像素電極的面積與設(shè)置在所述壓電材料的第二部分下方的所述像素電極的面積基本上相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲傳感器，其中，針對(duì)沿第一方向和與所述第一方向交叉的第二方向中的至少一個(gè)方向布置的每個(gè)像素區(qū)域，交替地布置有所述壓電材料的第一部分和所述壓電材料的第二部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超聲傳感器，其中，針對(duì)沿所述第一方向設(shè)置的每個(gè)像素區(qū)域，交替地布置有所述壓電材料的第一部分和所述壓電材料的第二部分，以及
其中，布置在沿所述第一方向相鄰的像素區(qū)域中的所述公共電極彼此間隔開，并且布置在沿所述第二方向相鄰的像素區(qū)域中的所述公共電極彼此連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超聲傳感器，其中，針對(duì)沿所述第一方向設(shè)置的每個(gè)像素區(qū)域，交替地布置有所述壓電材料的第一部分和所述壓電材料的第二部分，以及
其中，布置在沿所述第一方向相鄰的所述像素區(qū)域中的所述公共電極彼此連接，并且布置在沿所述第二方向相鄰的所述像素區(qū)域中的所述公共電極彼此間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超聲傳感器，其中，針對(duì)沿所述第一方向設(shè)置的每個(gè)像素區(qū)域，交替地布置所述壓電材料的第一部分和所述壓電材料的第二部分，并且針對(duì)沿所述第二方向設(shè)置的每個(gè)像素區(qū)域，交替地布置有所述壓電材料的第一部分和所述壓電材料的第二部分，以及
其中，設(shè)置在其中設(shè)置有所述壓電材料的第一部分的像素區(qū)域上的所述公共電極的面積小于設(shè)置在其中設(shè)置有所述壓電材料的第二部分的像素區(qū)域上的所述公共電極的面積。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超聲傳感器，其中，所述平坦化層包括：
設(shè)置在所述多個(gè)薄膜晶體管上的第一平坦化層，所述第一平坦化層包括多個(gè)第一孔；以及
設(shè)置在所述壓電材料的第二部分與所述第一平坦化層之間的第二平坦化層，所述第二平坦化層包括多個(gè)第二孔，
其中，所述第二孔的至少一部分設(shè)置在除了與所述第一孔交疊的區(qū)域以外的區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超聲傳感器，其中，設(shè)置在所述壓電材料的第二部分下方的所述像素電極通過設(shè)置在所述第一孔中的連接電極電連接至所述薄膜晶體管。
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