[發明專利]一種有源相控陣雷達的PLL

在審

• 申請號: 202010534204.9
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111431525A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 廖云龍;熊文斌;胡倚銘;徐翔
• 申請（專利權）人: 成都銳新科技有限公司
• 主分類號: H03L7/18
• 分類號: H03L7/18;G01S7/282;H03H11/04;H03L7/095;H03L7/099
• 代理公司: 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229
• 代理人: 陳選中

1.一種有源相控陣雷達的PLL，其特征在于，包括：鑒相器、壓控振蕩器、LNA放大器、分頻器1/N和四階帶通濾波器；

所述鑒相器的輸入端INPUT1輸入待倍頻的頻率信號，其輸入端INPUT2與四階帶通濾波器的輸出端OUTPUT3連接，其輸出端OUTPUT1與壓控振蕩器的輸入端INPUT3連接；所述壓控振蕩器的輸出端OUTPUT2與LNA放大器的輸入端INPUT5連接；所述LNA放大器的輸出端OUTPUT4與分頻器1/N的輸入端連接；所述分頻器1/N的輸出端與四階帶通濾波器的輸入端INPUT4連接。

2.根據權利要求1所述的有源相控陣雷達的PLL，其特征在于，所述鑒相器包括：PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、NMOS管M16、電阻R1、接地電容C1、接地電容C2、電阻R2、電阻R3、電阻R5、接地電容C4、電阻R6、接地電阻R7、電阻R4、電阻R8、電阻R12、接地電容C5、接地電阻R9、電容C3、電阻R10、電阻R11、三極管Q1、三極管Q2和接地電阻R13；

所述PMOS管M12的源極與PMOS管M11的源極連接，并與電源VCC連接，其柵極分別與PMOS管M11的柵極、PMOS管M12的漏極和NMOS管M13的漏極連接；所述PMOS管M11的漏極分別與電阻R1的一端、電阻R6的一端、NMOS管M14的漏極、PMOS管M4的柵極、PMOS管M7的柵極、PMOS管M3的柵極和PMOS管M9的柵極連接；所述電阻R2的另一端分別與電阻R3的一端和電阻R5的一端連接；所述電阻R5的另一端與接地電容C4連接；所述NMOS管M13的柵極分別與電阻R3的另一端和電阻R6的另一端連接，其源極分別與NMOS管M15的漏極和NMOS管M14的源極連接；所述NMOS管M14的柵極分別與接地電阻R7和電阻R4的一端連接；所述電阻R4的另一端分別與電容C3的一端和電阻R8的一端連接；所述電阻R8的另一端分別與電阻R12的一端、接地電阻R9和接地電容C5連接；所述電容C3的另一端作為鑒相器的輸入端INPUT1；所述電阻R12的另一端與電源VCC連接；所述三極管Q2的集電極分別與電阻R10的一端、三極管Q2的基極和三極管Q1的基極連接，其發射極與接地電阻R13連接；所述三級管Q1的發射極與電阻R11的一端連接，其集電極分別與NMOS管M15的柵極、NMOS管M16的柵極和NMOS管M16的漏極連接；所述NMOS管M15的源極和NMOS管M16的源極接地；所述PMOS管M6的源極與PMOS管M7的源極連接，其柵極分別與PMOS管M10的柵極、PMOS管M2的柵極和PMOS管M1的柵極連接，并作為鑒相器的輸入端INPUT2，其漏極分別與PMOS管M4的漏極、PMOS管M7的漏極、PMOS管M5的柵極和PMOS管M8的柵極連接；所述PMOS管M1的源極分別與PMOS管M2的源極和PMOS管M3的源極連接，并與電源VCC連接，其漏極與PMOS管M4的源極連接；所述PMOS管M2的漏極分別與PMOS管M3的漏極和PMOS管M5的源極連接；所述PMOS管M5的漏極分別與PMOS管M8的漏極、PMOS管M9的漏極、接地電阻R1的一端和接地電容C1連接；所述PMOS管M9的源極與PMOS管M10的漏極連接；所述PMOS管M10的源極和PMOS管M8的源極接地；所述電阻R1的另一端與接地電容C2連接，并作為鑒相器的輸出端OUTPUT1。