[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 202010534176.0 | 申請日: | 2020-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN112086465A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發明(設計)人: | 金政泰;蘇棟潤;金永來;樸慶珉 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 于會玲;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板,包括:
顯示區域,包括包含電極的薄膜晶體管;
非顯示區域,與所述顯示區域相鄰;以及
焊盤區域,在所述非顯示區域中,并且包括彼此面對的下導電層和上導電層,所述下導電層與所述上導電層之間具有絕緣層,
其中,
所述下導電層包括:
第一導電層,限定所述顯示裝置的端部表面,以及
第二導電層,沿著所述基板與所述第一導電層間隔開,以在所述第一導電層與所述第二導電層之間限定空間,
所述絕緣層限定第一開口部分,所述第一開口部分對應于所述第一導電層與所述第二導電層之間的所述空間,并且
所述焊盤區域中的所述上導電層與所述顯示區域中的所述薄膜晶體管的所述電極處在同一層中,所述上導電層延伸到所述第一開口部分中。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述焊盤區域內,
所述絕緣層限定沿著所述基板彼此間隔開的第一接觸孔和第二接觸孔,并且
所述上導電層在所述第一接觸孔處被連接到所述第一導電層,并且在所述第二接觸孔處被連接到所述第二導電層。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
在所述焊盤區域內,所述絕緣層包括沿著所述基板的厚度方向布置的第一絕緣層和第二絕緣層。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,在所述焊盤區域內,
所述第一開口部分包括:被限定在所述第一絕緣層中的第一絕緣開口部分;以及被限定在所述第二絕緣層中的第二絕緣開口部分,并且
所述第一絕緣開口部分和所述第二絕緣開口部分在所述空間處彼此連接。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述顯示區域在所述薄膜晶體管內進一步包括:
柵電極,面對所述電極,柵極絕緣層和層間絕緣層這兩者在所述柵電極與所述電極之間,以及
半導體層,面對所述柵極絕緣層,所述柵電極在所述半導體層與所述柵極絕緣層之間,并且
在所述焊盤區域中,所述絕緣層包括:
第一絕緣層,與所述柵極絕緣層處在同一層中,以及
第二絕緣層,與所述層間絕緣層處在同一層中。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,進一步包括:
下絕緣層,在所述第一導電層與所述基板之間。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
在所述焊盤區域內,所述上導電層的端部離所述顯示區域最遠,
在所述焊盤區域中進一步包括保護層,所述保護層包括有機材料,并且面對所述絕緣層,所述上導電層在所述保護層與所述絕緣層之間,所述保護層覆蓋所述上導電層的所述端部。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一導電層和所述第二導電層處在彼此不同的層中。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,
所述顯示區域在所述薄膜晶體管內進一步包括:
柵電極,面對所述電極,柵極絕緣層和層間絕緣層這兩者在所述柵電極與所述電極之間,以及
半導體層,面對所述柵極絕緣層,所述柵電極在所述半導體層與所述柵極絕緣層之間,并且
在所述焊盤區域中,所述絕緣層包括:
第一絕緣層,與所述柵極絕緣層處在同一層中,所述第一絕緣層設置在所述基板與所述第二導電層之間;以及
第二絕緣層,與所述層間絕緣層處在同一層中,所述第二絕緣層面對所述第一絕緣層,所述第二導電層在所述第二絕緣層與所述第一絕緣層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





