[發明專利]一種用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法

有效

• 申請號: 202010534048.6
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111799184B
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 程仕紅;栗偉斌;王英廣;朱連迎;桂美來;王振輝;賴辰辰
• 申請（專利權）人: 深圳米飛泰克科技有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/304;H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李金偉

1.一種用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、取片，獲取12吋晶圓片，所述12吋晶圓片的厚度為700um；

S2、編號、將所述12吋晶圓片劃分成大小相同的4部分并對各部分進行編號以示區分；

S3、切片、將編號后的各部分切開以使所述12吋晶圓片均等分成4份子晶圓片；

S4、切邊、對4份所述子晶圓片遠離其圓心的兩個邊角進行裁邊；

S5、減薄、對切邊后的所述子晶圓片進行減薄；

S6、劃片、對減薄后的所述子晶圓片進行劃片；

S7、裝片、對劃片后的所述子晶圓片進行裝片并按照編號將各所述子晶圓片封裝成12吋晶圓；其中，至少步驟S4-S7采用8吋晶圓生產線加工；

所述步驟S3包括以下步驟：

S31、沿所述12吋晶圓片的直徑進行切割得到第一切割槽，所述第一切割槽的深度比所述12吋晶圓片的厚度小150-200um，所述第一切割槽的長度小于或等于8吋；

S32、將所述12吋晶圓片旋轉180°，沿其直徑進行切割得到第二切割槽，所述第二切割槽的深度與所述第一切割槽的深度相同，所述第二切割槽與所述第一切割槽位于同一直線上并相互連通；

S33、將所述12吋晶圓片在所述第一切割槽和所述第二切割槽處斷開均分成2份半邊晶圓片；

S34、分別對2份所述半邊晶圓片進行平分切割得到第三切割槽，所述第三切割槽的深度與所述第一切割槽的深度相同，沿所述第三切割槽將2份所述半邊晶圓片斷開以得到4份所述子晶圓片。

2.如權利要求1所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，在所述步驟S2中，對所述12吋晶圓片上劃分的各部分的正面和/或反面進行編號。

3.如權利要求2所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，所述編號包括第一編碼和第二編碼，所述第一編碼表示所述12吋晶圓片的信息，所述第二編碼表示所述12吋晶圓片中各部分的信息。

4.如權利要求1所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，在所述步驟S31中，所述第一切割槽的深度比所述12吋晶圓片的厚度小200um，所述第一切割槽的長度大于6吋且小于8吋。

5.如權利要求1所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，在所述步驟S4中，先對所述邊角處切割得到第四切割槽，所述第四切割槽的深度比所述12吋晶圓片的厚度小80-100um，所述第四切割槽與所述邊角的距離為1.2-1.7mm，然后將所述邊角沿所述第四切割槽折斷與所述子晶圓片分離。

6.如權利要求5所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，所述子晶圓片包括第一半徑側邊、第二半徑側邊以及弧形邊，所述第一半徑側邊與所述弧形邊的相交處為第一邊角，所述第二半徑側邊與弧形邊的相交處為第二邊角，所述第一邊角處的所述第四切割槽與所述第二半徑側邊平行，所述第二邊角處的所述第四切割槽與所述第一半徑側邊平行，所述第四切割槽至所述第一邊角或所述第二邊角處的距離為1.4-1.5mm。

7.如權利要求1所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，所述步驟S5包括以下步驟：

S51、先對所述子晶圓片的正面貼膜，所述貼膜厚度為230-300um；

S52、對所述子晶圓片的背面進行研磨，直至將所述子晶圓片的厚度減薄為30um-300um；

S53、對研磨減薄后的所述子晶圓片進行清洗；

S54、對清洗后的所述子晶圓片進行撕膜，撕膜后對所述子晶圓片重新標明相對應的編號。

8.如權利要求7所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，在所述步驟S51中，所述貼膜包括一層保護膜和一層加厚膜，所述保護膜的厚度為80um-100um，所述加厚膜的厚度為150um-200um。

9.如權利要求7所述的用8吋晶圓生產線制造12吋晶圓的生產方法，其特征在于，所述貼膜的尺寸為8吋圓形膜。