[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202010533703.6
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN113644039A
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 浦彩華;姚開麗

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

第一基板，具有支撐墊；

第二基板，位于所述第一基板上；

金屬層，位于所述第二基板內，且所述金屬層從所述支撐墊延伸至所述第二基板的頂面；

緩沖結構，位于所述第二基板內，所述緩沖結構被所述金屬層圍繞，其中所述緩沖結構的頂面低于所述金屬層的頂面；以及

阻障結構，位于所述金屬層與所述緩沖結構上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含：

鈍化層，位于所述第二基板上。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述阻障結構具有第一部分與第二部分，所述第一部分位于所述鈍化層上，所述第二部分位于所述金屬層與所述阻障結構上。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含：

隔離層，位于所述第二基板的側壁上。

5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含：

第一阻障層，位于所述支撐墊與所述隔離層上；以及

第二阻障層，位于所述金屬層上。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，進一步包含：

凸塊，位于所述阻障結構上。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬層的一部分位于所述緩沖結構與所述第二基板之間。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一基板上包含內連接結構，并且所述支撐墊位于所述內連接結構中。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述緩沖結構由有機材料制成。

10.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述緩沖結構的所述頂面低于所述第二基板的頂面。

11.一種形成半導體結構的方法，其特征在于，包含：

接合第一基板與第二基板，其中所述第一基板具有支撐墊；

蝕刻所述第二基板，以形成開口，其中所述支撐墊通過所述開口而暴露；

在所述支撐墊與圍繞所述開口的所述第二基板的側壁上形成金屬層；

在所述金屬層上形成緩沖結構；

蝕刻所述緩沖結構，使得所述緩沖結構的頂面低于所述金屬層的頂面；以及

形成阻障結構，位于所述金屬層與所述緩沖結構上。

12.如權利要求11所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，進一步包含：

在蝕刻所述第二基板之前，在所述第二基板上形成鈍化層。

13.如權利要求12所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，進一步包含：

蝕刻所述鈍化層，以形成開口，其中所述鈍化層的所述開口連通于所述第二基板的所述開口，且比所述第二基板的所述開口寬。

14.如權利要求11所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，進一步包含：

在形成所述金屬層之前，在所述第二基板的所述側壁上形成隔離層，使得所述金屬層形成于所述隔離層上。

15.如權利要求14所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，進一步包含：

在所述隔離層與所述支撐墊上形成第一阻障層；以及

在所述金屬層上形成第二阻障層。

16.如權利要求11所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，蝕刻所述緩沖結構，使得所述緩沖結構的所述頂面低于所述第二基板的頂面。

17.如權利要求11所述的形成半導體結構的方法，其特征在于，進一步包含：

在所述阻障結構上形成凸塊。