[發明專利]異質結太陽能電池及其制造方法

在審

• 申請號: 202010533230.X
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111697110A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 汪訓忠;張津燕;石湘波
• 申請（專利權）人: 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/0216;H01L31/0747
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種異質結太陽能電池的制造方法，所述方法包括以下步驟：

(a).提供用于異質結太陽能電池的、經制絨的N型硅片，所述硅片具有相對的第一表面和第二表面；

(b).通過等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述第一表面上依次沉積第一本征非晶硅層及N型非晶硅層；

(c).通過等離子體增強化學氣相沉積工藝在所述第二表面上依次沉積第二本征非晶硅層及P型非晶硅層；

(d).在N型非晶硅層和P型非晶硅層上分別形成第一透明導電膜和第二透明導電膜；以及

(e).在第一透明導電膜和第二透明導電膜上分別形成第一電極和第二電極；

所述步驟(b)在沉積第一本征非晶硅層之前和/或所述步驟(c)在沉積第二本征非晶硅層之前,還相應在所述硅片第一表面和/或第二表面上形成氧化硅層。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)和/或步驟(c)中形成氧化硅層時的反應氣體為笑氣或臭氧，反應壓力為0.2～5毫巴，反應溫度為160～300攝氏度，形成的氧化硅層厚度為0.2～2納米。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)中沉積第一本征非晶硅層和步驟(c)中沉積第二本征非晶硅層時的反應氣體均為硅烷和氫氣，硅烷和氫氣的體積比為1:(0～20)，反應壓力為0.3～5毫巴，反應溫度為150～250攝氏度，沉積形成的第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層的厚度均為4～10納米。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)中沉積第一本征非晶硅層和步驟(c)中沉積第二本征非晶硅層時的硅烷的流量為300～1000標準升/小時，氫氣的流量為0～2000標準升/小時，反應壓力為0.7～1.5毫巴，反應溫度為180～200攝氏度。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)中沉積N型非晶硅層時的硅烷的流量為100標準升/小時，氫氣的流量為1000標準升/小時，磷烷的流量為0.5～10標準升/小時，反應壓力為0.8毫巴，反應溫度為180～240攝氏度，沉積形成的N型非晶硅層的厚度為4～10納米。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(c)中沉積P型非晶硅層時的硅烷的流量為100標準升/小時，氫氣的流量為500標準升/小時，硼烷的流量為0.25～10標準升/小時，反應壓力為0.3毫巴，反應溫度為190～210攝氏度，沉積形成的P型非晶硅層的厚度為4～10納米。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)或步驟(c)在對應沉積第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層中任一者之前還相應在所述第一表面和第二表面中的任一面上形成第一氧化硅層，所述第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層中另一者直接沉積在所述第一表面和第二表面中不具有第一氧化硅層的另一面上。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，步驟(b)在沉積第一本征非晶硅層和步驟(c)在沉積第二本征非晶硅層之前還在所述第一表面和第二表面上分別形成第一氧化硅層和第二氧化硅層，步驟(b)中所形成的第一本征非晶硅層沉積在所述第一氧化硅層上，步驟(c)中所形成的第二本征非晶硅層沉積在所述第二氧化硅層上。

9.一種通過權利要求1-8中任一項所述的制造方法制成的異質結太陽能電池，其包括具有第一表面和第二表面的N型硅片，所述異質結太陽能電池還包括依次層疊在所述第一表面上的第一本征非晶硅層、N型非晶硅層、第一透明導電膜和第一電極、以及依次層疊上所述第二表面上的第二本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二透明導電膜和第二電極，所述第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層中任一者與所述硅片之間設置有第一氧化硅層。

10.根據權利要求9所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅中另一者與所述硅片之間還設置有第二氧化硅層。