[發明專利]熔融金屬硅霧化制粉工藝

在審

• 申請號: 202010532922.2
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111634915A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 鄭維江;戴文偉;鄭智雄;林霞;胡滿根
• 申請（專利權）人: 將樂三晶新材料有限公司
• 主分類號: C01B33/021
• 分類號: C01B33/021;G01N15/02
• 代理公司: 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367
• 代理人: 尹麗華

1.一種熔融金屬硅霧化制粉工藝，其特征在于，所述工藝包括：

步驟S1、將熔融金屬硅液轉移至保溫包；所述保溫包底部的出料口通過導流管連接霧化噴頭的第一液體出口；所述霧化噴頭的氣流出口環形圍繞與所述第一液體出口；

步驟S2、開啟所述保溫包的出料口，并向所述氣流出口通入高壓氣流，以使所述出料口流出的所述熔融金屬硅液受高壓氣流作用而霧化；

步驟S3、設置于所述霧化噴頭底部的收集槽采集霧化所得的金屬硅粉；

步驟S4、實時采集設置于所述收集槽的收集面的背部下方的顯微鏡所拍攝的第一圖像；所述收集槽為透明石英材質；

步驟S5、測量所述顯微鏡圖像中的各個所述金屬硅粉的半徑，求解所述金屬硅粉的直徑均值所述求解所述金屬硅粉的成粉波動性E，所述其中，所述n為所述顯微鏡圖像中的所述金屬硅粉的個數，所述R_i、所述R_j分別表示編號為i、j的所述金屬硅粉的直徑；

步驟S6、響應于所述直徑均值未落入第一預設區間輸出第一不合格指令；響應于所述成粉波動性大于第二預設值E_th，輸出第二不合格指令；其中，所述Δ為預設容限，所述Δ為正數，所述R_set為本批次金屬硅粉預設半徑規格，所述第二預設值E_th為預設值。

2.如權利要求1所述的一種熔融金屬硅霧化制粉工藝，其特征在于，所述工藝包括：

步驟S7、響應于所述直徑均值大于所述預設半徑規格R_set，提高所述高壓氣流的速率；響應于所述直徑均值小于所述預設半徑規格R_set，降低所述高壓氣流的速率。

3.如權利要求1所述的一種熔融金屬硅霧化制粉工藝，其特征在于，所述霧化噴頭與所述收集槽的槽內底部之間的距離大于1米。