[發明專利]一種17-4PH基座的熱處理工藝在審
| 申請號： | 202010532818.3 | 申請日： | 2020-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN111500831A | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 景財年;吳聰;林濤;趙順治;葉道珉;雷啟騰;劉磊;張志浩 | 申請（專利權）人： | 山東建筑大學 |
| 主分類號： | C21D1/18 | 分類號： | C21D1/18;C21D1/09;C21D9/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東省濟*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 17 ph 基座 熱處理 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，首先以17-4PH基座進行細化晶粒處理，然后依次進行固溶處理、調整處理、激光固溶和時效處理的熱處理工藝，所述激光固溶處理會在17-4PH基座表面形成一層硬化層，使其綜合力學性能達到基座使用要求。
2.根據權利要求1所述的一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，所述細化晶粒處理工藝為：將17-4PH基座加熱至650-700℃，保溫時間1-3小時，接著空冷至室溫。
3.根據權利要求1所述的一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，所述固溶處理為：將17-4PH基座放入1040-1050℃氣氛爐中保溫2-4h，然后水冷至室溫。
4.根據權利要求1所述的一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，所述調整處理工藝為：在815-820℃下保溫0.5-1h，然后空冷至室溫。
5.根據權利要求1所述的一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，所述表面激光固溶處理，激光功率為1.8-2KW，掃描速度為1.0-1.2m/min，硬化層厚度為2.5-3mm。
6.根據權利要求1所述的一種17-4PH基座的熱處理工藝，其特征在于，所述時效處理工藝為：在470-480℃下保溫4-6h，然后空冷至室溫。
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