[發明專利]氧化物半導體基板及肖特基勢壘二極管元件

有效

• 申請號: 202010532733.5
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN111668315B
• 公開（公告）日: 2023-09-12
• 發明（設計）人: 笘井重和;柴田雅敏;川島繪美;矢野公規;早坂紘美
• 申請（專利權）人: 出光興產株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/861;H01L29/47;H01L29/26;H01L29/24;H01L29/04;H01L21/34
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王銘浩

1.一種結構體，其包含氧化物半導體層、肖特基電極層和歐姆電極層，

在所述肖特基電極層上形成所述氧化物半導體層，在所述氧化物半導體層上形成所述歐姆電極層，

所述氧化物半導體層包含含有銦的多晶和/或非晶質的氧化物半導體，

在所述氧化物半導體層中，銦的含量相對于全部金屬元素的含量的原子組成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金屬元素])×100)為30原子％～100原子％，

所述氧化物半導體層的膜厚為200nm～20μm，

在所述氧化物半導體為多晶時，所述氧化物半導體包含In和選自Al、Si、Ga、Hf、Zr、Ce及Sn中的1種以上，

且該結構體包含所述氧化物半導體層與所述肖特基電極層發生電接觸的區域。

2.一種結構體，其包含氧化物半導體層、肖特基電極層和歐姆電極層，

在所述歐姆電極層上形成所述氧化物半導體層，在所述氧化物半導體層上形成所述肖特基電極層，

所述氧化物半導體層包含含有銦的多晶和/或非晶質的氧化物半導體，

在所述氧化物半導體層中，銦的含量相對于全部金屬元素的含量的原子組成百分率([In]/([In]+[In以外的全部金屬元素])×100)為30原子％～100原子％，

所述氧化物半導體層的膜厚為200nm～20μm，

在所述氧化物半導體為多晶時，所述氧化物半導體包含In和選自Al、Si、Ga、Hf、Zr、Ce及Sn中的1種以上，

且該結構體包含所述氧化物半導體層與所述肖特基電極層發生電接觸的區域。

3.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述發生電接觸的區域為直接接合的區域。

4.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述肖特基電極層的功函數為4.7eV以上。

5.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述肖特基電極層包含選自Au、Cr、Cu、Fe、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Re、Ru、W中的金屬、或者包含選自In₂O₃、ITO、IZO中的金屬氧化物。

6.如權利要求1或2所述的結構體，其中，在所述氧化物半導體層為非晶質的氧化物半導體時，所述非晶質的氧化物半導體包含選自Al、Ga、Hf及Sm中的1種以上的元素。

7.如權利要求6所述的結構體，其中，所述選自Al、Ga、Hf及Sm中的1種以上的元素的含量為氧化物半導體層的全部金屬元素中的3原子％以上且30原子％以下。

8.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述氧化物半導體為非晶質。

9.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述氧化物半導體為結晶質，且在所述氧化物半導體中，以全部金屬元素中3原子％以上且30原子％以下的比例包含選自Al、Ga和Hf中的至少1種元素。

10.如權利要求1或2所述的結構體，其中，所述氧化物半導體在室溫下的載流子濃度為1×10¹⁴cm^-3以上且1×10¹⁷cm^-3以下。

11.如權利要求1或2所述的結構體，其絕緣破壞電場為0.5MV/cm～3MV/cm。

12.一種氧化物半導體基板，其是權利要求1～11中任一項所述的結構體層疊于導電性基板上而成的。

13.如權利要求12所述的氧化物半導體基板，其中，所述導電性基板由選自單晶硅、多晶硅及微晶硅中的1種以上構成。

14.一種氧化物半導體基板，其是權利要求1～11中任一項所述的結構體層疊于電絕緣性基板上而成的。