[發(fā)明專利]一種芯片封裝方法和芯片封裝器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010532021.3
• 申請(qǐng)日: 2020-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN111640722B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴穎;李駿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅(jiān)怡

1.一種芯片封裝方法，其特征在于，所述芯片的功能面上設(shè)置有焊盤和第一鈍化層，所述第一鈍化層對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置設(shè)置有第一通孔；所述芯片封裝方法包括：

利用電鍍的方式在所述第一鈍化層的每個(gè)所述第一通孔位置處分別形成第一金屬層；

利用沉積的方式在所述第一金屬層的側(cè)壁以及遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè)表面形成第二金屬層，所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述焊盤一側(cè)表面平整，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層形成金屬凸塊；

在所述金屬凸塊的外圍形成絕緣層，所述絕緣層的遠(yuǎn)離所述功能面的表面高于所述金屬凸塊遠(yuǎn)離所述功能面的表面；

利用帶有焊料粒子的導(dǎo)電膠將所述金屬凸塊遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè)表面與襯底表面的導(dǎo)電部電連接，其中，所述絕緣層遠(yuǎn)離所述功能面的表面與所述襯底接觸，所述導(dǎo)電膠位于所述絕緣層圍設(shè)的區(qū)域內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，

所述在芯片功能面上的每個(gè)焊盤位置處分別形成金屬凸塊的步驟之前，還包括：利用濺射的方式在所述第一鈍化層表面以及所述第一通孔內(nèi)形成濺射金屬層；

所述在芯片功能面上的每個(gè)焊盤位置處分別形成金屬凸塊之后，還包括：蝕刻去除未被所述金屬凸塊覆蓋的所述濺射金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述利用帶有焊料粒子的導(dǎo)電膠將所述金屬凸塊遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè)表面與襯底表面的導(dǎo)電部電連接的步驟包括：

將所述帶有焊料粒子的導(dǎo)電膠設(shè)置于所述絕緣層圍設(shè)的區(qū)域內(nèi)，其中，所述導(dǎo)電膠包括聚合物材料、焊料粒子和還原劑，所述焊料粒子和所述還原劑分散于所述聚合物材料中；

將所述金屬凸塊遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè)表面與所述導(dǎo)電部對(duì)準(zhǔn)貼合，通過回流焊工藝使所述還原劑與所述導(dǎo)電部接觸以去除所述導(dǎo)電部表面的氧化層，以及使所述焊料粒子熔化并與所述金屬凸塊和所述導(dǎo)電部電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝方法，其特征在于，

所述焊料粒子的熔點(diǎn)在150℃-180℃之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片封裝方法，其特征在于，

所述絕緣層為有機(jī)絕緣層，所述通過回流焊工藝使所述還原劑與所述導(dǎo)電部接觸以去除所述導(dǎo)電部表面的氧化層，以及使所述焊料粒子熔化并與所述金屬凸塊和所述導(dǎo)電部電連接的步驟之前，所述絕緣層的高度小于所述芯片的功能面和所述襯底之間的間距；

所述通過回流焊工藝使所述還原劑與所述導(dǎo)電部接觸以去除所述導(dǎo)電部表面的氧化層，以及使所述焊料粒子熔化并與所述金屬凸塊和所述導(dǎo)電部電連接的步驟之后，所述絕緣層的高度等于所述芯片的功能面和所述襯底之間的間距。

6.一種芯片封裝器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底表面設(shè)置有導(dǎo)電部；

芯片，所述芯片的功能面上設(shè)置有焊盤，所述焊盤與所述導(dǎo)電部一一對(duì)應(yīng)；

第一鈍化層，位于所述芯片的所述功能面上，且對(duì)應(yīng)所述焊盤的位置處設(shè)置有第一通孔；

金屬凸塊，設(shè)置于所述焊盤位置處，所述金屬凸塊包括第一金屬層和第二金屬層；其中，所述第一金屬層為利用電鍍的方式在所述第一鈍化層的每個(gè)所述第一通孔位置處形成的，所述第二金屬層為利用沉積的方式在所述第一金屬層的側(cè)壁以及遠(yuǎn)離所述焊盤的一側(cè)表面形成的，且所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述焊盤一側(cè)表面平整；

絕緣層，設(shè)置于所述金屬凸塊外圍，且所述絕緣層填充所述芯片與所述襯底之間的空間；

導(dǎo)電膠，設(shè)置于所述絕緣層圍設(shè)的區(qū)域內(nèi)，將所述金屬凸塊與所述導(dǎo)電部電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝器件，其特征在于，還包括：

濺射金屬層，位于所述金屬凸塊和所述焊盤之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝器件，其特征在于，所述金屬凸塊的材質(zhì)包括銅、鎳和金中至少一種。