[發明專利]低溫集成電路、集成模塊以及產生和檢測信號的裝置在審
| 申請號: | 202010531534.2 | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN113452326A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 于哈·哈塞爾;帕西·拉合提恩麥吉 | 申請(專利權)人: | IQM芬蘭有限公司 |
| 主分類號: | H03D7/16 | 分類號: | H03D7/16;G06N10/00 |
| 代理公司: | 重慶智鷹律師事務所 50274 | 代理人: | 唐超塵;劉貽行 |
| 地址: | 芬蘭埃斯波凱*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低溫 集成電路 集成 模塊 以及 產生 檢測 信號 裝置 | ||
1.低溫集成電路或集成模塊,其包括:
-放大器,其是行波參數放大器或約瑟夫遜參數放大器,并且包括至少一個放大器輸入和放大器輸出;
-振蕩器,其配置為產生振蕩驅動信號并且通過所述至少一個放大器輸入將所述振蕩驅動信號耦合到所述放大器;
-信號輸入,其配置為通過所述至少一個放大器輸入將輸入信號耦合到所述放大器;
-偏置輸入,其配置為將偏置信號耦合到所述振蕩器;和
-信號輸出,其配置為將來自所述放大器輸出的輸出信號輸送出低溫集成電路或集成模塊。
2.根據權利要求1所述的低溫集成電路或集成模塊,其包括定向耦合器或功率組合器,該定向耦合器或功率組合器具有第一耦合器輸入、第二耦合器輸入和耦合器輸出,其特征在于,第一耦合器輸入耦合到信號輸入,第二耦合器輸入耦合到振蕩器,并且耦合器輸出耦合到至少一個放大器輸入。
3.根據權利要求1所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于:
-在所述至少一個放大器輸入中是放大器信號輸入和放大器驅動輸入;
-所述信號輸入配置為通過所述放大器信號輸入將所述輸入信號耦合到所述放大器;并且
-所述振蕩器配置為將所述振蕩驅動信號耦合到所述放大器驅動輸入。
4.根據前述權利要求中任一項所述的低溫集成電路或集成模塊,其包括時鐘參考輸入,時鐘參考輸入配置為將參考時鐘信號耦合到所述振蕩器。
5.根據權利要求4所述的低溫集成電路或集成模塊,其包括耦合在所述參考時鐘輸入和所述振蕩器之間的倍頻器。
6.根據權利要求5所述的低溫集成電路或集成模塊,其包括耦合在所述倍頻器和所述振蕩器之間的帶通濾波器。
7.根據前述權利要求中任一項所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于,所述放大器和所述振蕩器一體集成在共有基板上。
8.根據引用權利要求5的權利要求7所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于,所述倍頻器與所述放大器和所述振蕩器一起一體集成在所述共有基板上。
9.根據引用權利要求6的權利要求7所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于,所述倍頻器和所述帶通濾波器與所述放大器和所述振蕩器一起一體集成在所述共有基板上。
10.根據權利要求1到6中任一項所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于:
-所述放大器在第一芯片上;
-所述振蕩器在第二芯片上;并且
-所述第一芯片和第二芯片通過例如線接合或倒裝片接合的接合方法集成在一起。
11.根據權利要求1到6中任一項所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于:
-所述放大器在第一芯片上;
-所述振蕩器在第二芯片上;并且
-所述第一芯片和第二芯片是在共有的功能性連接的模塊中單獨封裝的器件,該模塊構成了低溫集成電路或集成模塊。
12.根據前述權利要求中任一項所述的低溫集成電路或集成模塊,其特征在于:
-所述放大器是第一放大器,使得所述至少一個放大器輸入是至少一個第一放大器輸入,并且所述放大器輸出是第一放大器輸出;
-所述振蕩器是第一振蕩器,其配置為產生第一振蕩驅動信號并且通過所述至少一個第一放大器輸入將所述第一振蕩驅動信號耦合到所述第一放大器;
-低溫集成電路或集成模塊包括第二放大器,該第二放大器是行波參數放大器或約瑟夫遜參數放大器,并且包括至少一個第二放大器輸入和第二放大器輸出;
-低溫集成電路或集成模塊包括第二振蕩器,其配置為產生第二振蕩驅動信號并且通過所述至少一個第二放大器輸入將所述第二振蕩驅動信號耦合到所述第二放大器;
-第一放大器輸出耦合到所述至少一個第二放大器輸入;并且
-所述第二放大器輸出耦合到所述信號輸出。
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