[發明專利]一種鰭式場效應晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 202010531165.7
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111653524A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 顏天才;蘇炳熏
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，包括：

在襯底上形成若干條狀鰭片和虛擬柵極，所述虛擬柵極的兩側形成有側墻；

在所述條狀鰭片上形成源極或漏極；

沉積層間介質層，并對所述層間介質層進行化學機械平坦化CMP以露出所述虛擬柵極的頂部；

在單擴散區域形成單擴散區切斷；以及

將所述單擴散區域以外的其它虛擬柵極替換為金屬柵極。

2.如權利要求1所述的制造方法，所述在單擴散區域形成單擴散區切斷包括：

蝕刻在單擴散區域內的虛擬柵極及其下方的硅襯底以形成單擴散區溝槽；

在所述單擴散區溝槽內沉積填充材料以填滿所述單擴散區溝槽；以及

對所述填充材料進行化學機械平坦化使得所述填充材料與所述層間介質層平齊以形成所述單擴散區切斷。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述蝕刻在單擴散區域內的虛擬柵極及其下方的硅襯底以形成單擴散區溝槽包括：

在所述單擴散區域以外的其它區域形成單擴散區遮罩以打開所述單擴散區域內的虛擬柵極；

蝕刻被打開的虛擬柵極以及所述被打開的虛擬柵極下方的硅襯底以形成所述單擴散區溝槽；以及

去除所述單擴散區遮罩。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在單擴散區域以外的其它區域形成單擴散區遮罩包括：

利用光阻或硬掩膜將所述單擴散區域以外的其它區域覆蓋以形成所述單擴散區遮罩。

5.如權利要求2～4中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述蝕刻在單擴散區域內的虛擬柵極及其下方的硅襯底以形成單擴散區溝槽包括：

蝕刻去除所述單擴散區域內的虛擬柵極；以及

蝕刻所述單擴散區域內的虛擬柵極下方的硅襯底至預設深度以形成所述單擴散區溝槽。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，

所述蝕刻去除所述單擴散區域內的虛擬柵極包括：

通過干法蝕刻或濕法蝕刻工藝去除所述單擴散區域內的虛擬柵極；以及

所述蝕刻所述單擴散區域內的虛擬柵極下方的硅襯底至預設深度包括：

通過干法蝕刻去除所述單擴散區域內的虛擬柵極下方的硅襯底至預設深度。

7.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述蝕刻單擴散區域內的虛擬柵極下方的硅襯底至預設深度以形成所述單擴散區溝槽還包括：

基于所述單擴散區切斷所需的深度確定所述預設深度。

8.如權利要求1～4、6～7中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述單擴散區切斷的深度為300～2000埃。

9.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述填充材料為氮化硅或硅的氧化物。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述將單擴散區域以外的其它虛擬柵極替換為金屬柵極包括：

采用替代金屬澆口工藝將所述單擴散區域以外的其它虛擬柵極替換為金屬柵極。