[發明專利]三軸磁場傳感器

在審

• 申請號: 202010530697.9
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111562528A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 李大來;蔣樂躍
• 申請（專利權）人: 新納傳感系統有限公司
• 主分類號: G01R33/07
• 分類號: G01R33/07
• 代理公司: 蘇州簡理知識產權代理有限公司 32371
• 代理人: 朱亦倩

1.一種三軸磁場傳感器，其特征在于，其包括：

第一導電類型襯底；

第一垂直霍爾傳感器，其包括沿所述第一導電類型襯底的上表面向下延伸至第一導電類型襯底內的第一個第二導電類型阱，以及沿第一個第二導電類型阱的上表面向下延伸至第一個第二導電類型阱內的第一組第二導電類型端口；

第二垂直霍爾傳感器，其包括沿所述第一導電類型襯底的上表面向下延伸至第一導電類型襯底內的第二個第二導電類型阱，以及沿第二個第二導電類型阱的上表面向下延伸至第二個第二導電類型阱內的第二組第二導電類型端口；

平面霍爾傳感器，其包括沿所述第一導電類型襯底的上表面向下延伸至第一導電類型襯底內的第三個第二導電類型阱，以及沿第三個第二導電類型阱的上表面向下延伸至第三個第二導電類型阱內的第三組第二導電類型端口。

2.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第一垂直霍爾傳感器用于探測x軸磁場；

所述第二垂直霍爾傳感器用于探測y軸磁場；

所述平面霍爾傳感器用于探測z軸磁場，

其中，x軸、y軸、z軸屬于笛卡爾坐標系，且z軸與x軸和y軸滿足右手定則。

3.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第一導電類型襯底為p型襯底；

所述第二導電類型阱為n阱；

所述第二導電類型端口為n+端口。

4.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第一導電類型襯底為n型襯底；

所述第二導電類型阱為p阱；

所述第二導電類型端口為p+端口。

5.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第二導電類型阱通過向所述第一導電類型襯底擴散或注入形成；

所述第二導電類型端口通過向所述第二導電類型阱擴散或注入形成。

6.根據權利要求2所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第一組第二導電類型端口包括第一電源端106a、第一接地端106b、第二接地端106c、第一信號正端106d和第一信號負端106e；

所述第二組第二導電類型端口包括第二電源端108a、第三接地端108b、第四接地端108c、第三信號正端108d和第四信號負端108e；

所述第三組第二導電類型端口包括第三電源端110a、第五接地端110b、第五信號正端110c和第六信號負端110d。

7.根據權利要求6所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第一組第二導電類型端口中的各個端口形成一條沿y軸的直線；

所述第二組第二導電類型端口中的各個端口形成一條沿x軸的直線；

所述第三組第二導電類型端口中，第三電源端110a和第五接地端110b形成的直線垂直于第五信號正端110c和第六信號負端110d形成的直線。

8.根據權利要求7所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第三組第二導電類型端口中，

所述第三電源端110a和第五接地端110b形成一條沿x軸的直線；

所述第五信號正端110c和第六信號負端110d形成一條沿y軸的直線。

9.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

第一垂直霍爾傳感器和第二垂直霍爾傳感器分別位于所述平面霍爾傳感器的相鄰的兩側。

10.根據權利要求1所述的三軸磁場傳感器，其特征在于，

所述第二導電類型端口的摻雜濃度較所述第二導電類型阱的摻雜濃度高。