[發明專利]近紫外發光二極管外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 202010530603.8 | 申請日： | 2020-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN111883623B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 呂耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種近紫外發光二極管外延片，所述近紫外發光二極管外延片包括襯底(1)及生長在所述襯底(1)上的外延層(2)，所述外延層(2)包括在所述襯底(1)上依次層疊的n型層(21)、發光層(22)、電子阻擋層(23)及p型層(24)，
其特征在于，所述電子阻擋層(23)包括依次生長在所述發光層(22)上的AlN子層(231)、第一AlInGaN子層(232)與第二AlInGaN子層(233)，所述AlN子層(231)中的Al的組分含量、所述第一AlInGaN子層(232)中的Al的組分含量、所述第二AlInGaN子層(233)中的Al的組分含量依次降低，
所述第一AlInGaN子層(232)中的Al的組分含量與所述第二AlInGaN子層(233)中的Al的組分含量比值，與所述第二AlInGaN子層(233)中的In的組分含量與所述第一AlInGaN子層(232)中的In的組分含量比值相等，且所述第一AlInGaN子層(232)中In組分含量與所述第二AlInGaN子層(233)中In組分含量的比值為1:2，所述第一AlInGaN子層(232)與所述第二AlInGaN子層(233)中均摻有Mg元素，且第二AlInGaN子層(233)中的Mg的摻雜濃度與所述第一AlInGaN子層(232)中的Mg的摻雜濃度比值，與所述第一AlInGaN子層(232)中的Al的組分含量與所述第二AlInGaN子層(233)中的Al的組分含量比值相等，所述第一AlInGaN子層(232)中Al的組分含量與所述第二AlInGaN子層(233)中Al的組分含量的比值為2:1。
2.根據權利要求1所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN子層(232)中Al的組分含量為x1，所述第一AlInGaN子層(232)中In的組分含量為y1，所述第一AlInGaN子層(232)中Mg的摻雜濃度為z1，0.3x1≤0.6，0y1≤0.1，2×1019cm-3z1≤5×1019cm-3。
3.根據權利要求2所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN子層(232)中，x1:y1在10:1～60:1的范圍內。
4.根據權利要求1～3任一項所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述第二AlInGaN子層(233)中Al的組分含量為x2，所述第二AlInGaN子層(233)中In的組分含量為y2，所述第二AlInGaN子層(233)中Mg的摻雜濃度為z2，0.1x2≤0.3，0y2≤0.2，5×1019cm-3z2≤2×1020cm-3。
5.根據權利要求1～3任一項所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述AlN子層(231)的厚度為1.5～3nm，所述第一AlInGaN子層(232)的厚度與所述第二AlInGaN子層(233)的厚度均為100～150nm。
6.根據權利要求1～3任一項所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，所述外延層(2)還包括設置在所述n型層(21)與所述發光層(22)之間的電流擴展層，所述電流擴展層包括多個交替層疊的AlGaN子層(261)與GaN子層(262)。
7.根據權利要求6所述的近紫外發光二極管外延片，其特征在于，在沿所述外延層(2)的生長方向上，每個所述AlGaN子層(261)的厚度依次減小，每個所述AlGaN子層(261)中Al的組分含量的含量依次增加。
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