[發明專利]一種膜電極缺陷檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 202010530516.2
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111537532A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 葉青;胡曉;宋潔;許可;郭志遠;徐桂芝;鄧占鋒;葉俊;高運興
• 申請（專利權）人: 全球能源互聯網研究院有限公司;國網山東省電力公司泰安供電公司;國家電網有限公司
• 主分類號: G01N23/046
• 分類號: G01N23/046;G01N23/18
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 胡曉靜

1.一種膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

獲取膜電極的初始圖像，所述初始圖像包括：陰極催化層的待檢測圖像、質子交換膜的待檢測圖像以及陽極催化層的待檢測圖像；

對所述初始圖像進行缺陷特征提取，得到對應的缺陷特征圖像；

根據各所述缺陷特征圖像，確定所述膜電極的缺陷檢測結果。

2.根據權利要求1所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述獲取膜電極的初始圖像，包括：

采用顯微CT技術獲取所述膜電極的初始圖像。

3.根據權利要求1所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述對所述初始圖像進行缺陷特征提取，得到對應的缺陷特征圖像，包括：

對所述陰極催化層的待檢測圖像進行輪廓特征的提取，以獲得所述陰極催化層的缺陷特征圖像；

對所述質子交換膜的待檢測圖像進行輪廓特征的提取，以獲得所述質子交換膜的缺陷特征圖像；

對所述陽極催化層的待檢測圖像進行輪廓特征的提取，以獲得所述陽極催化層的缺陷特征圖像。

4.根據權利要求3所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法還包括：

根據各層的缺陷特征圖像，確定各層缺陷的形狀、尺寸以及位置坐標。

5.根據權利要求4所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述根據各所述缺陷特征圖像，確定所述膜電極的缺陷檢測結果，包括：

根據所述各層缺陷的形狀、尺寸以及位置坐標，得到所述膜電極的缺陷圖像；

根據所述膜電極的缺陷圖像，確定所述膜電極的缺陷檢測結果。

6.根據權利要求5所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述方法還包括：

獲取至少一個膜電極的標準缺陷圖像；其中，每個標準缺陷圖像均對應至少一種缺陷類型。

7.根據權利要求6所述的膜電極缺陷檢測方法，其特征在于，所述根據所述膜電極的缺陷圖像，確定所述膜電極的缺陷檢測結果，包括：

根據所述至少一個膜電極的標準缺陷圖像，確定所述膜電極的缺陷圖像和各標準缺陷圖像的相似度；

根據所述膜電極的缺陷圖像和各標準缺陷圖像的相似度排序結果，獲取與所述缺陷圖像相似度最高的標準缺陷圖像所對應的缺陷類型；

根據所述標準缺陷圖像所對應的缺陷類型，確定所述膜電極的缺陷檢測結果。

8.一種膜電極缺陷檢測裝置，其特征在于，包括：圖像獲取模塊、特征提取模塊和缺陷檢測模塊；

所述圖像獲取模塊，用于獲取膜電極的初始圖像，所述初始圖像包括：陰極催化層的待檢測圖像、質子交換膜的待檢測圖像以及陽極催化層的待檢測圖像；

所述特征提取模塊，用于對所述初始圖像進行缺陷特征提取，得到對應的缺陷特征圖像；

所述缺陷檢測模塊，用于根據各所述缺陷特征圖像，確定所述膜電極的缺陷檢測結果。

9.一種電子設備，其特征在于，包括：至少一個處理器和存儲器；

所述存儲器存儲計算機執行指令；

所述至少一個處理器執行所述存儲器存儲的計算機執行指令，使得所述至少一個處理器執行如權利要求1-7任一項所述的方法。

10.一種包含計算機可執行指令的存儲介質，其特征在于，所述計算機可執行指令在由計算機處理器執行時用于執行如權利要求1-7任一項所述的方法。