[發(fā)明專利]一種窄帶光源陣列及光學(xué)檢測(cè)設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010530020.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111682042B | 公開(公告)日: | 2022-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張揚(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州百伴生物技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L27/146;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/58;G01N21/01 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 窄帶 光源 陣列 光學(xué) 檢測(cè) 設(shè)備 | ||
1.一種窄帶光源陣列,其特征在于,包括襯底、蝕刻于襯底一側(cè)的凹坑陣列和設(shè)于所述襯底另一側(cè)的激發(fā)光陣列,所述凹坑陣列中的凹坑底面為弧形曲面,帶有所述凹坑的所述襯底形成平凹透鏡;所述凹坑內(nèi)填充有可透光填充物,至少部分所述凹坑內(nèi)的填充物包裹有光致發(fā)光量子點(diǎn),位于所述凹坑內(nèi)的含有光致發(fā)光量子點(diǎn)的填充物形成平凸透鏡;所述激發(fā)光陣列包括若干呈陣列分布的單色發(fā)光元件;所述凹坑與所述單色發(fā)光元件一一對(duì)應(yīng)設(shè)置;所述平凹透鏡和平凸透鏡相配合促使所述單色發(fā)光元件發(fā)出的光信號(hào)形成匯聚的照明光源;所述填充物的折射率與襯底的折射率不同;所述凹坑的底面曲率根據(jù)襯底折光率和填充物的折光率計(jì)算獲取,滿足:
r=f*(n1+n2-2);其中:r為凹坑底面曲率半徑,f為凹坑填充填充物后形成的透鏡焦距,n1為襯底折射率,n2為填充物的折射率,n22-n1;所述填充物是環(huán)氧樹脂溶劑或固態(tài)環(huán)氧樹脂;各所述凹坑內(nèi)填充物所包含光致發(fā)光量子點(diǎn)的發(fā)射波長(zhǎng)不完全相同;多個(gè)所述單色發(fā)光元件設(shè)置于同一驅(qū)動(dòng)電路板上,所述驅(qū)動(dòng)電路板能夠獨(dú)立驅(qū)動(dòng)任一所述單色發(fā)光元件發(fā)光,以使得發(fā)射波長(zhǎng)不同的所述光致發(fā)光量子點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的單色發(fā)光元件能夠被分時(shí)驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窄帶光源陣列,其特征在于,所述單色發(fā)光元件采用Mini LED或Micro LED,用于產(chǎn)生單一且波長(zhǎng)位于200~405nm的窄帶紫外單色光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窄帶光源陣列,其特征在于,所述襯底由氧化鋁,或氮化鎵,或氮化鎵鋁,或上述三者材料組合構(gòu)成。
4.權(quán)利要求1所述的窄帶光源陣列,其特征在于,所述填充物為包裹有光致發(fā)光量子點(diǎn)的,或僅含環(huán)氧樹脂溶劑、PAnMMA-N二嵌段共聚物或polyTPD類發(fā)光高分子聚合物有機(jī)共聚物。
5.權(quán)利要求1所述的窄帶光源陣列,其特征在于,所述凹坑上覆蓋有封口膜。
6.一種光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,包括彩色光學(xué)信號(hào)傳感器、樣品池和權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的窄帶光源陣列,所述樣品池設(shè)于窄帶光源陣列與彩色光學(xué)信號(hào)傳感器之間,所述窄帶光源陣列發(fā)出的光能夠透過裝有待檢測(cè)樣品的樣品池,以使彩色光學(xué)信號(hào)傳感器能夠采集到相應(yīng)的光信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,其特征在于,所述彩色光學(xué)信號(hào)傳感器包括帶有RGB,RYYB,RGGB不同形式濾光片的CCD或CMOS陣列。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





