[發明專利]一種倒裝LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 202010530012.0
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN111640830B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 鄔新根;劉英策;周芽揚;周弘毅;劉偉
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種倒裝LED芯片及其制備方法，通過在外延疊層表面設置電流阻擋層、電流傳導復合層、ITO層及擴展電極；基于該技術方案，分別通過擴展電極作為與第一電極接觸的反射電極、電流傳導復合層作為通過ITO層與第二電極接觸的反射電極層，使ITO層引入的電流經電流傳導復合層后并通過電流阻擋層的阻擋使其在所述臺面進一步橫向傳導，從而降低LED芯片的驅動電壓；同時，通過電流傳導復合層中的Al反射層再次配合DBR反射層，可進一步地提高電流傳導復合層下方的反射率，提升芯片亮度。

技術領域

本發明涉及發光二極管領域，尤其涉及一種倒裝LED芯片及其制備方法。

背景技術

隨著LED技術的快速發展以及LED光效的逐步提高，LED的應用也越來越廣泛。目前，為了實現倒裝LED芯片中光出射面的轉變，通常通過ITO層+DBR的結構，在此方案的基礎上需要通過類似正裝芯片設計叉指圖形進行輔助電流傳導，其方案的結構示意圖如圖1所示：其主要特點是通過擴展電極作為反射電極，并利用電流阻擋層使擴展電極引入的電流通過ITO層實現其在P型層中的橫向傳導，再結合DBR作為光反射層，從而實現光出射面的轉變。但是，當擴展電極為反射電極設計時，由于擴展電極需要與ITO層形成低電阻接觸且兩者具有良好的粘附性，因此擴展電極的底層一般為薄Cr加上反射金屬Al的層疊結構設計。這種反射電極的反射率在60％左右，導致倒裝LED芯片的整體反射率偏低。

有鑒于此，本發明人專門設計了一種倒裝LED芯片及其制備方法，本案由此產生。

發明內容

本發明的目的在于提供一種倒裝LED芯片及其制備方法，以實現降低LED芯片驅動電壓并提升芯片光效。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種倒裝LED芯片，包括：

襯底；

設置于所述襯底表面的發光結構，所述發光結構包括外延疊層、電流阻擋層、電流傳導復合層、ITO層及擴展電極；所述外延疊層包括沿第一方向依次堆疊的第一型半導體層、有源區及第二型半導體層，且所述外延疊層的局部區域蝕刻至部分所述的第一型半導體層形成若干個凹槽及一臺面；所述所述電流阻擋層，其層疊于所述臺面的部分表面；所述電流傳導復合層，其層疊于所述電流阻擋層背離所述臺面的一側表面，且所述電流傳導復合層包括沿所述第一方向依次堆疊的Al反射層和第二金屬疊層；所述ITO層，其層疊于所述臺面的裸露面并覆蓋所述電流傳導復合層；所述擴展電極，其具有若干個子擴展電極，各所述子擴展電極形成于各所述凹槽內且電連接于所述第一型半導體層；第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述外延疊層；

DBR反射層，其覆蓋于所述發光結構背離所述襯底的一側裸露表面，且具有至少一第一通孔和至少一第二通孔；各所述第一通孔分別裸露各所述子擴展電極的部分表面；各所述第二通孔設置于所述電流傳導復合層對應的上方，且裸露所述ITO層的部分表面；

第一電極，以被保持在所述第一通孔的方式層疊于所述DBR反射層，且與所述擴展電極電連接；

第二電極，以被保持在所述第二通孔的方式層疊于所述DBR反射層，且與所述ITO層電連接；所述第二電極遠離所述第一電極設置。

優選地，所述第二金屬疊層包括粘附性較好的金屬疊層。

優選地，所述第二金屬疊層包括Au、Pt、Ti、Ni及Cr中的一種或多種金屬疊層。

優選地，所述電流阻擋層與所述電流傳導復合層在所述襯底表面的投影重合。

優選地，所述電流阻擋層包括SiO₂、Al₂O₃、MgF、HfO₂及Si₃N₄中的一種或多種疊層。