[發(fā)明專利]一種制備MiniLED芯片的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010529885.X | 申請日： | 2020-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN111799353A | 公開（公告）日： | 2020-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王思博;廖漢忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 遼寧鴻文知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 21102 | 代理人： | 楊植 |
| 地址： | 223001*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 miniled 芯片 方法 | ||
1.一種制備MiniLED芯片的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、提供一襯底，依次在襯底上制作N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，形成外延層；
S2、分別在P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層上形成PN電極，該P(yáng)N電極底層為厚度100nm的高反射金屬層或厚度100～500nm鋁；
S3、沉積DBR反射層，在PN電極上方進(jìn)行光刻和刻蝕，刻穿到PN電極位置，制作DBR反射層；
S4、制作PN焊盤，將PN焊盤對應(yīng)與PN電極導(dǎo)通；PN焊盤設(shè)計如下：
PN焊盤主要由從下到上的焊盤粘附層、焊盤反射層、焊盤阻擋層、高彈性模量層和焊盤結(jié)合層組成；
其中，焊盤粘附層為Ti、Ni或Cr形成的金屬層，為與DBR反射層相黏附，厚度為0.5～100nm；
焊盤反射層為Al或Ag形成的金屬層，厚度大于100nm；
焊盤阻擋層為Ti、Pt、或Ti和Pt疊層形成的金屬層，厚度大于50nm；
高彈性模量層11為Ni形成的金屬層，厚度為300nm～2000nm；
焊盤結(jié)合層為Au形成的金屬層，厚度為50nm～500nm；
S5、進(jìn)行切裂，形成芯粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備MiniLED芯片的方法法，其特征在于，焊盤反射層為Al形成的金屬層，厚度為1000nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種制備MiniLED芯片的方法，其特征在于，焊盤阻擋層為Ti時，厚度為100nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種制備MiniLED芯片的方法，其特征在于，
焊盤各層金屬的沉積使用E-Beam機(jī)臺或Sputter機(jī)臺進(jìn)行沉積，膜層沉積時使用50～100℃或常溫，材料選用顆粒或靶材。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種制備MiniLED芯片的方法，其特征在于，焊盤各層金屬的沉積使用E-Beam機(jī)臺或Sputter機(jī)臺進(jìn)行沉積，膜層沉積時使用50～100℃或常溫，材料選用顆粒或靶材。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司，未經(jīng)淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010529885.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
