[發明專利]存儲器設備有效
| 申請號: | 202010529807.X | 申請日: | 2020-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN112086119B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | N·維爾卡內特;P·洛吉耶;T·弗賴塔格;B·埃魯克斯 | 申請(專利權)人: | 邁來芯科技有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/22 | 分類號: | G11C16/22 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳潔;黃嵩泉 |
| 地址: | 比利時*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 設備 | ||
本發明涉及存儲器設備(1),包括:非易失性存儲器塊(5),用于存儲要寫入、讀取或擦除的數據,保護單元(2),被布置為用于連接到通信總線以檢測解鎖、寫入或擦除命令,并且包括用于鎖定和解鎖所述存儲器塊的單元(3),所述單元被布置為接收并處理所述解鎖、寫入或擦除命令,定序器(4),被布置為根據所述解鎖、寫入或擦除命令從所述保護單元接收使能信號以使得能夠訪問所述存儲器塊,其中,用于鎖定和解鎖的所述單元包括用于處理所述解鎖、寫入或擦除命令的邏輯電路,所述邏輯電路被布置為輸出所述使能信號,所述邏輯電路包括:第一邏輯子電路(301),第二邏輯子電路(302),以及組合器邏輯電路(303)。
技術領域
本發明大體涉及在集成電路中使用的存儲器設備的領域。
背景技術
與例如,鎖存器、觸發器或隨機存取存儲器(RAM)相反,非易失性存儲器在電源關閉時也保持其存儲器內容。因此,必須確保對該存儲器的任何訪問都不會破壞或損害數據內容,因為數據在例如,上電復位(Power On Reset),從而去除集成電路的電源之后也會存在。
非易失性存儲器(NVM)可以包含幾種類型的數據。閃存例如用于存儲由例如,狀態機或中央處理器(CPU)執行的程序或指令,而校準值數據或應用數據例如位于EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)或NVRAM(非易失性隨機存取存儲器)中。
與通常只寫入一次或寫入很少次的程序或指令存儲器(例如,閃存)不同,數據存儲器(例如,EEPROM)可能被寫入得更頻繁。待存儲的數據可以改變,并且必須用改變的數據更新存儲器。
NVM中意外的擦除或程序操作可能損壞存儲器內容并導致芯片故障。如果程序存儲器(例如,閃存)被損壞,則程序將有不同的表現,因此不再確定芯片功能。如果數據存儲器(例如,EEPROM)被損壞,則不正確的校準值可以導致例如,傳感器故障。在某些架構中,用于例如,程序存儲器的硬件的校準數據(例如,電荷泵電壓配置值或讀出閾值)也可以位于數據存儲器中。在此類配置中,數據存儲器(例如,EEPROM)中損壞的校準數據內容導致程序存儲器(例如,閃存)的故障。
非易失性存儲器針對不需要的寫入或擦除訪問的保護在過去已經被多次解決,并且已經開發了幾種類型的解決方案。然而,隨著ISO26262標準及其要求的提出,需要對功能安全相關要素進行額外的考慮,因此需要改進。
申請WO2005/031754A1公開了一種非易失性半導體存儲器設備,該非易失性半導體存儲器設備包括由多個存儲器塊、接口、寫入電路和讀取電路構成的存儲器單元陣列。在存儲器塊中寫入保護標志。讀出保護標志可以通過接口輸出到外部設備。當從接口輸入寫入命令時,當所選存儲器塊中的保護標志具有第一值時,寫入電路執行寫入命令,而當保護標志具有第二值時,寫入電路不執行寫入命令。保護標志只攜帶單個值,并且保護標志是存儲器設備本身的部分。這意味著,如果存儲器出現故障使得標志攜帶錯誤的值,則寫入訪問是可能的。
US2012/084573公開了一種方法,包括:由處理器可訪問的主存儲器接收寫入命令,其中該寫入命令由第一存儲器控制器接收;確定所述寫入命令的認證,其中該確定由設置在所述主存儲器內的第二控制器執行;以及至少部分地基于所述寫入命令的所確定的認證,確定是否修改主存儲器的內容。加密密鑰存儲在存儲器內,如果存儲器出現故障,則這會出現問題。此外,該公開沒有處理比較結果也可能不安全的問題。
因此,需要一種解決方案來檢測對非易失性存儲器的意外破壞性訪問。如果此類事件發生,則訪問應當被丟棄,同時使NVM內容不受改變。此外,系統必須被告知該錯誤行為。
發明內容
本發明的實施例的目的是提供適于確保安全存儲器訪問的存儲器設備。
上述目的通過根據本發明的解決方案來實現。
在第一方面中,本發明涉及一種存儲器設備,包括
-非易失性存儲器塊,用于存儲要寫入、讀取或擦除的數據,
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