[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010529511.8
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112086485A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓在范;樸英吉;樸精花;安那璃;鄭洙任;金起男;金紋成
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;馮志云

本公開涉及一種顯示設(shè)備，包括：基底，設(shè)置在基底上距基底的頂表面不同的距離處的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管。顯示裝置電連接到第一薄膜晶體管。第一薄膜晶體管包括：包含多晶硅的第一半導(dǎo)體層；以及第一柵極電極，在基底的厚度的方向上與第一半導(dǎo)體層的溝道區(qū)重疊。第二薄膜晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的第二半導(dǎo)體層。第一柵極電極具有包含第一層和第二層的堆疊結(jié)構(gòu)。第二層包含鈦，并且第一層包含與第二層不同的材料。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月12日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0069553號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，上述韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用被全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

一個或多個實施例涉及一種顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

用于顯示各種類型的電信號信息的顯示裝置已經(jīng)得到快速發(fā)展。例如，已經(jīng)開發(fā)了各種平板顯示設(shè)備，其提供了改善的特征，諸如纖薄的外形、輕的重量和低的功耗。這些平板顯示設(shè)備可以包括薄膜晶體管(TFT)和電容器等。根據(jù)包含在TFT中的半導(dǎo)體層的材料，TFT可以具有不同的特性。顯示設(shè)備可以采用不同類型的TFT以提供改善的性能。

發(fā)明內(nèi)容

例如，顯示設(shè)備可以采用包含多晶硅半導(dǎo)體層的第一薄膜晶體管和包含氧化物半導(dǎo)體層的第二薄膜晶體管。通過經(jīng)由熱處理減少多晶硅半導(dǎo)體層內(nèi)的缺陷(陷阱)，第一薄膜晶體管可以具有改善的特性。然而，為了改善第一薄膜晶體管的特性而執(zhí)行的熱處理可能影響氧化物半導(dǎo)體層，并且因此第二薄膜晶體管的特性可能被改變。

一個或多個示例性實施例包括一種能夠改善多晶硅半導(dǎo)體層的特性而不影響氧化物半導(dǎo)體層的顯示設(shè)備。

另外的方面將在隨后描述中被部分地闡述，并且部分地將從描述中明顯看出，或者可以通過實踐本公開的所提出的實施例而獲悉。

根據(jù)一個或多個示例性實施例，一種顯示設(shè)備包括：基底，設(shè)置在基底上距基底的頂表面不同的距離處的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管。顯示裝置電連接到第一薄膜晶體管。第一薄膜晶體管包括：包含多晶硅的第一半導(dǎo)體層；以及第一柵極電極，在基底的厚度的方向上與第一半導(dǎo)體層的溝道區(qū)重疊。第二薄膜晶體管包括包含氧化物半導(dǎo)體的第二半導(dǎo)體層。第一柵極電極具有包含第一層和第二層的堆疊結(jié)構(gòu)。第二層包含鈦，并且第一層包含與第二層不同的材料。

第二層可以設(shè)置在第一層和第一半導(dǎo)體層之間。

第一柵極電極可以還包括設(shè)置在第一層上并且包含鈦的第三層。

顯示設(shè)備可以還包括在基底的厚度的方向上與第一薄膜晶體管重疊的電容器，并且第一柵極電極是電容器的第一電極。

電容器還包括在基底的厚度的方向上與第一電極重疊的第二電極，顯示設(shè)備可以還包括：第一絕緣層，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第一柵極電極之間；第二絕緣層，設(shè)置在第一柵極電極和第二電極之間；以及第三絕緣層，設(shè)置在第二電極上。第二半導(dǎo)體層可以設(shè)置在第三絕緣層上。

顯示設(shè)備可以還包括：光阻擋層，在基底的厚度的方向上與第二半導(dǎo)體層重疊，設(shè)置在第二絕緣層和第三絕緣層之間，并且具有導(dǎo)電性。

第一半導(dǎo)體層可以還包括分別布置在溝道區(qū)的兩側(cè)上的漏極區(qū)和源極區(qū)。溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū)可以用相同的雜質(zhì)摻雜。溝道區(qū)的雜質(zhì)的摻雜濃度可以小于漏極區(qū)和源極區(qū)的雜質(zhì)的各個摻雜濃度的每個。

溝道區(qū)的雜質(zhì)的摻雜濃度可以是1×e¹¹/cm²至1×e¹³/cm²。

雜質(zhì)可以是硼(B)。

第二半導(dǎo)體層的氫濃度可以大于第一半導(dǎo)體層的氫濃度。